型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 参数 | PDF资料 |
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UPA677TB-T1-A | Renesas Electronics America | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | MOSFET DL N-CH 20V SC-88 6SSP | FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
UPA677TB-T2-A | Renesas Electronics America | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | MOSFET N-CH DUAL 20V SC-70 | FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
UPA678TB-T2-A | Renesas Electronics America | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | MOSFET P-CH DUAL 20V SC-70 | FET 型:2 个 P 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
UPA679TB-T1-A | Renesas Electronics America | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | 5 | MOSFET N/P-CH 20V SC-70 6SSP | FET 型:N 和 P 沟道 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | |
UPA679TB-T2-A | Renesas Electronics America | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | MOSFET N/P-CH 20V SC-70 | FET 型:N 和 P 沟道 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | ||
US5K3TR | Rohm Semiconductor | TUMT5 | MOSFET 2N-CH 30V 1.5A TUMT5 | FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:标准 漏极至源极电压(Vdss... | ||
US6J11TR | Rohm Semiconductor | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | MOSFET 2P-CH 12V 1.3A TUMT6 | FET 型:2 个 P 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
US6J2TR | Rohm Semiconductor | 6-SMD,扁平引线 | 12000 | MOSFET 2P-CH 20V 1A TUMT6 | FET 型:2 个 P 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
US6K1TR | Rohm Semiconductor | 6-SMD,扁平引线 | 24000 | MOSFET 2N-CH 30V 1.5A TUMT6 | FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
US6K2TR | Rohm Semiconductor | 6-SMD,扁平引线 | 6000 | MOSFET 2N-CH 30V 1.4A TUMT6 | FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
US6K4TR | Rohm Semiconductor | 6-SMD,扁平引线 | 15000 | MOSFET N-CH DUAL 20V 1.5A TUMT6 | FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
US6M11TR | Rohm Semiconductor | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | MOSFET N/P-CH 20V 1.5A TUMT6 | FET 型:N 和 P 沟道 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | ||
US6M1TR | Rohm Semiconductor | 6-SMD,扁平引线 | 60428 | MOSFET N+P 30,20V 1A TUMT6 | FET 型:N 和 P 沟道 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | |
US6M2TR | Rohm Semiconductor | 6-SMD,扁平引线 | 18000 | MOSFET N+P 20V 1.5A/1A TUMT6 | FET 型:N 和 P 沟道 FET 特点:标准 漏极至源极电压(Vdss):3... | |
USB10H | Fairchild Semiconductor | SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 | MOSFET P-CH DUAL 20V SSOT6 | FET 型:2 个 P 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V... |