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首页 > 元器件分类 > 分离式半导体产品 > FET - 阵列 U开头
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型号 品牌 封装 数量 描述 参数 PDF资料
UPA677TB-T1-A Renesas Electronics America 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 MOSFET DL N-CH 20V SC-88 6SSP FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
UPA677TB-T2-A Renesas Electronics America 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 MOSFET N-CH DUAL 20V SC-70 FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
UPA678TB-T2-A Renesas Electronics America 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 MOSFET P-CH DUAL 20V SC-70 FET 型:2 个 P 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
UPA679TB-T1-A Renesas Electronics America 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 5 MOSFET N/P-CH 20V SC-70 6SSP FET 型:N 和 P 沟道 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss...
UPA679TB-T2-A Renesas Electronics America 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 MOSFET N/P-CH 20V SC-70 FET 型:N 和 P 沟道 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss...
US5K3TR Rohm Semiconductor TUMT5 MOSFET 2N-CH 30V 1.5A TUMT5 FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:标准 漏极至源极电压(Vdss...
US6J11TR Rohm Semiconductor 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 MOSFET 2P-CH 12V 1.3A TUMT6 FET 型:2 个 P 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
US6J2TR Rohm Semiconductor 6-SMD,扁平引线 12000 MOSFET 2P-CH 20V 1A TUMT6 FET 型:2 个 P 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
US6K1TR Rohm Semiconductor 6-SMD,扁平引线 24000 MOSFET 2N-CH 30V 1.5A TUMT6 FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
US6K2TR Rohm Semiconductor 6-SMD,扁平引线 6000 MOSFET 2N-CH 30V 1.4A TUMT6 FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
US6K4TR Rohm Semiconductor 6-SMD,扁平引线 15000 MOSFET N-CH DUAL 20V 1.5A TUMT6 FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
US6M11TR Rohm Semiconductor 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 MOSFET N/P-CH 20V 1.5A TUMT6 FET 型:N 和 P 沟道 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss...
US6M1TR Rohm Semiconductor 6-SMD,扁平引线 60428 MOSFET N+P 30,20V 1A TUMT6 FET 型:N 和 P 沟道 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss...
US6M2TR Rohm Semiconductor 6-SMD,扁平引线 18000 MOSFET N+P 20V 1.5A/1A TUMT6 FET 型:N 和 P 沟道 FET 特点:标准 漏极至源极电压(Vdss):3...
USB10H Fairchild Semiconductor SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 MOSFET P-CH DUAL 20V SSOT6 FET 型:2 个 P 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...

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