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首页 > 分离式半导体产品 > FET - 阵列 > UPA679TB-T1-A
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UPA679TB-T1-A

Renesas Electronics America 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 5 闂傚倷鐒﹀鍨熆閳ь剛绱掗幓鎺濈吋闁诡垯鐒︾粋鎺斺偓锝庡亝濞呮牠姊虹捄銊ユ珢闁瑰嚖鎷�0755-83217923
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简述:MOSFET N/P-CH 20V SC-70 6SSP
参考包装数量:1
参考包装形式:剪切带 (CT)

与UPA679TB-T1-A相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
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UPA800T-T1 CEL 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 TRANS NPN HF FT=8GHZ SOT-363 晶体管类型:2 NPN(双) 电压 - 集电极发射极击穿(最大):10V 频率 ...
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UPA679TB-T1-A参数资料

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FET 型:N 和 P 沟道
FET 特点:逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss):20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:350mA,250mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:570 毫欧 @ 300mA,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大):-
闸电荷(Qg) @ Vgs:-
输入电容 (Ciss) @ Vds:28pF @ 10V
功率 - 最大:200mW
安装类型:表面贴装

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