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首页 > 分离式半导体产品 > FET - 阵列 > UPA679TB-T1-A
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UPA679TB-T1-A

Renesas Electronics America 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 5 闂傚倸鍊搁崐鐑芥倿閿曗偓椤啴宕归鍛數闂侀€炲苯澧扮紒杈ㄥ浮楠炴捇骞掑┑鍫濇倯闂備浇顕栭崹顖炴倿閿斿墽鐭夐柟鐑樻煛閸嬫捇鏁愭惔鈥茬凹濠电偛鎳忛悧鐘差潖閾忚宕夐柕濞垮劜閻濄垽姊洪悷鏉挎闁瑰嚖鎷�0755-83217923
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简述:MOSFET N/P-CH 20V SC-70 6SSP
参考包装数量:1
参考包装形式:剪切带 (CT)

与UPA679TB-T1-A相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
UPA679TB-T2-A Renesas Electronics America 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 MOSFET N/P-CH 20V SC-70 FET 型:N 和 P 沟道 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss...
UPA800T-A CEL 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 TRANSISTOR NPN HF 8GHZ SOT363 晶体管类型:2 NPN(双) 电压 - 集电极发射极击穿(最大):10V 频率 ...
UPA800T-T1 CEL 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 TRANS NPN HF FT=8GHZ SOT-363 晶体管类型:2 NPN(双) 电压 - 集电极发射极击穿(最大):10V 频率 ...
UPA678TB-T2-A Renesas Electronics America 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 MOSFET P-CH DUAL 20V SC-70 FET 型:2 个 P 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
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UPA677TB-T1-A Renesas Electronics America 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 MOSFET DL N-CH 20V SC-88 6SSP FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...

UPA679TB-T1-A参数资料

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FET 型:N 和 P 沟道
FET 特点:逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss):20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:350mA,250mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:570 毫欧 @ 300mA,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大):-
闸电荷(Qg) @ Vgs:-
输入电容 (Ciss) @ Vds:28pF @ 10V
功率 - 最大:200mW
安装类型:表面贴装

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