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UM6K1NTN

Rohm Semiconductor 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 30000
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简述:MOSFET 2N-CH 30V .1A SOT-363
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

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UM6K1NTN参数资料

PDF资料下载:

FET 型:2 个 N 沟道(双)
FET 特点:逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss):30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:100mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:8 欧姆 @ 10mA,4V
Id 时的 Vgs(th)(最大):1.5V @ 100µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:-
输入电容 (Ciss) @ Vds:13pF @ 5V
功率 - 最大:150mW
安装类型:表面贴装

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