| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 参数 | PDF资料 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| SI4500BDY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET N/P-CH 8-SOIC | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | ||
| SI4501ADY-T1-E3 | Vishay Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET N/P-CH HALF BRG 8SOIC | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | ||
| SI4501ADY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET N/P-CH 8-SOIC | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | ||
| SI4505DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET N/P-CH 8-SOIC | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | ||
| SI4505DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET N/P-CH 8-SOIC | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | ||
| SI4511DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET N/P-CH 20V 8-SOIC | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | ||
| SI4511DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 2500 | MOSFET N/P-CH D-S 20V 8-SOIC | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | |
| SI4532ADY-T1-E3 | Vishay Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | ||
| SI4532ADY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | ||
| SI4532CDY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：标准 漏极至源极电压(Vdss)：3... | ||
| SI4532DY | Fairchild Semiconductor | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 20000 | MOSFET N/P-CH DUAL 30V SO-8 | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：标准 漏极至源极电压(Vdss)：3... | |
| SI4539ADY-T1-E3 | Vishay Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | ||
| SI4539ADY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | ||
| SI4542DY | Fairchild Semiconductor | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 2500 | MOSFET N/P-CH COMPL 30V 8-SOIC | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：标准 漏极至源极电压(Vdss)：3... | |
| SI4542DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | ||
| SI4542DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | ||
| SI4544DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | ||
| SI4544DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | ||
| SI4559ADY-T1-E3 | Vishay Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 112500 | MOSFET N/P-CH 60V 8-SOIC | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | |
| SI4559ADY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 100000 | MOSFET N/P-CH 60V 8-SOIC | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... |
