| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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SI4539ADY-T1-GE3 |
Vishay Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 闂傚倷鐒﹀鍨熆閳ь剛绱掗幓鎺濈吋闁诡垯鐒︾粋鎺斺偓锝庡亝濞呮牠姊虹捄銊ユ珢闁瑰嚖鎷�0755-83217923 询价QQ：  |
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| 简述：MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC 参考包装数量：2500 参考包装形式：带卷 (TR) |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| SI4542DY | Fairchild Semiconductor | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 2500 | MOSFET N/P-CH COMPL 30V 8-SOIC | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：标准 漏极至源极电压(Vdss)：3... |
| SI4542DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | |
| SI4542DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | |
| SI4539ADY-T1-E3 | Vishay Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | |
| SI4532DY | Fairchild Semiconductor | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 20000 | MOSFET N/P-CH DUAL 30V SO-8 | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：标准 漏极至源极电压(Vdss)：3... |
| SI4532CDY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：标准 漏极至源极电压(Vdss)：3... |
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