| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 参数 | PDF资料 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| SI4210DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 190 | MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| SI4214DDY-T1-E3 | Vishay Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET 2N-CH 30V 8.5A SO8 | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| SI4214DDY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 2477 | MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| SI4214DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| SI4226DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET 2N-CH 25V 8A 8SOIC | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：标准 漏极至源极电压(Vdss... | ||
| SI4226DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 2500 | MOSFET N-CH DUAL 25V 8A 8-SOIC | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：标准 漏极至源极电压(Vdss... | |
| SI4228DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET 2N-CH 25V 8A SO8 | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| SI4228DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 4004 | MOSFET N-CH 25V 8-SOIC | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| SI4230DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| SI4276DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET 2N-CH 30V 8A SO8 | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| SI4276DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET N-CH 30V 8-SOIC | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| SI4286DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | * | MOSFET DUAL N-CHAN 40V SO-8 | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| SI4310BDY-T1-E3 | Vishay Siliconix | 14-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET N-CH/SCHOTTKY 30V 14SOIC | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| SI4330DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 5000 | MOSFET N-CH DUAL 30V 8-SOIC | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| SI4330DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET N-CH DUAL 30V 8-SOIC | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| SI4340CDY-T1-E3 | Vishay Siliconix | 14-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET N-CH D-S 20V 14-SOIC | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| SI4340DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | 14-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET 2N-CH 20V 7.3A/9.9A SO14 | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| SI4388DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 2500 | MOSFET DUAL N-CH 30V 8-SOIC | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：标准 漏极至源极电压(Vdss... | |
| SI4388DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET DUAL N-CH 30V 8-SOIC | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：标准 漏极至源极电压(Vdss... | ||
| SI4500BDY-T1-E3 | Vishay Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 52500 | MOSFET N/P-CH HALF BRG 20V 8SOIC | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... |
