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SI4276DY-T1-GE3

Vishay Siliconix 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
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简述:MOSFET N-CH 30V 8-SOIC
参考包装数量:2500
参考包装形式:带卷 (TR)

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SI4276DY-T1-GE3参数资料

PDF资料下载:

FET 型:2 个 N 沟道(双)
FET 特点:逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss):30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:8A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:15.3 毫欧 @ 9.5A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大):2.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:26nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:1000pF @ 15V
功率 - 最大:3.6W,2.8W
安装类型:表面贴装

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