| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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SI4276DY-T1-GE3 |
Vishay Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 闂傚倸鍊搁崐鐑芥倿閿曗偓椤啴宕归鍛數闂侀€炲苯澧扮紒杈ㄥ浮楠炴捇骞掑┑鍫濇倯闂備浇顕栭崹顖炴倿閿斿墽鐭夐柟鐑樻煛閸嬫捇鏁愭惔鈥茬凹濠电偛鎳忛悧鐘差潖閾忚宕夐柕濞垮劜閻濄垽姊洪悷鏉挎闁瑰嚖鎷�0755-83217923 询价QQ： |
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| 简述：MOSFET N-CH 30V 8-SOIC 参考包装数量：2500 参考包装形式：带卷 (TR) |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| SI4286DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | * | MOSFET DUAL N-CHAN 40V SO-8 | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| SI4300-E-BM | Silicon Laboratories Inc | 20-LFLGA | IC POWER AMP DUAL-BAND 20C-LGA | 频率：900MHz，1.8GHz P1dB：- 增益：- 噪音数据：- RF 型... | |
| SI4300-EVB | Silicon Laboratories Inc | BOARD EVAL FOR SI4300 | ... | ||
| SI4276DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET 2N-CH 30V 8A SO8 | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| SI4230DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| SI4228DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 4004 | MOSFET N-CH 25V 8-SOIC | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... |
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