型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 参数 | PDF资料 |
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SI9955DY | Fairchild Semiconductor | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | MOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC | FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:标准 漏极至源极电压(Vdss... | ||
SIA511DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | PowerPAK? SC-70-6 双 | 2694 | MOSFET N/P-CH 12V PWRPAK SC70-6 | FET 型:N 和 P 沟道 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | |
SIA513DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | PowerPAK? SC-70-6 双 | MOSFET N/P-CH 20V PWRPAK SC70-6 | FET 型:N 和 P 沟道 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | ||
SIA517DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | PowerPAK? SC-70-6 双 | 6000 | MOSFET N/P-CH D-S 12V SC-70-6 | FET 型:N 和 P 沟道 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | |
SIA519EDJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | PowerPAK? SC-70-6 双 | 3000 | MOSFET N/P-CH 20V 4.5A SC70-6 | FET 型:N 和 P 沟道 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | |
SIA533EDJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | PowerPAK? SC-70-6 双 | 3000 | MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC70-6 | FET 型:N 和 P 沟道 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | |
SIA777EDJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | PowerPAK? SC-70-6 双 | MOSFET N/P-CH 20V PPAK SC70-6L | FET 型:N 和 P 沟道 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | ||
SIA778DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | PowerPAK? SC-70-6 双 | MOSFET 2N-CH 12V/20V SC70-6 | FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
SIA906EDJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | PowerPAK? SC-70-6 双 | MOSFET DUAL N-CH 20V 4.5A SC70-6 | FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
SIA910EDJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | PowerPAK? SC-70-6 双 | MOSFET N-CH 12V ESD SC-70-6 | FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
SIA911ADJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | PowerPAK? SC-70-6 双 | MOSFET DUAL P-CH D-S 20V SC70-6 | FET 型:2 个 P 沟道(双) FET 特点:标准 漏极至源极电压(Vdss... | ||
SIA911DJ-T1-E3 | Vishay Siliconix | PowerPAK? SC-70-6 双 | 3000 | MOSFET DUAL P-CH 20V SC70-6 | FET 型:2 个 P 沟道(双) FET 特点:标准 漏极至源极电压(Vdss... | |
SIA911DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | PowerPAK? SC-70-6 双 | MOSFET DUAL P-CH D-S 20V SC70-6 | FET 型:2 个 P 沟道(双) FET 特点:标准 漏极至源极电压(Vdss... | ||
SIA911EDJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | PowerPAK? SC-70-6 双 | MOSFET P-CH DL 20V PWRPAK SC70-6 | FET 型:2 个 P 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
SIA912DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | PowerPAK? SC-70-6 双 | 6000 | MOSFET N-CH DL 12V PWRPAK SC70-6 | FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
SIA913ADJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | PowerPAK? SC-70-6 双 | MOSFET DUAL P-CH D-S 12V SC70-6 | FET 型:2 个 P 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
SIA913DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | PowerPAK? SC-70-6 双 | MOSFET P-CH DL 12V PWRPAK SC70-6 | FET 型:2 个 P 沟道(双) FET 特点:标准 漏极至源极电压(Vdss... | ||
SIA914DJ-T1-E3 | Vishay Siliconix | PowerPAK? SC-70-6 双 | MOFSET DUAL N-CH 20V SC70-6 | FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
SIA914DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | PowerPAK? SC-70-6 双 | MOSFET DL N-CH 20V PPAK SC70-6 | FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
SIA917DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | PowerPAK? SC-70-6 双 | 6000 | MOSFET P-CH DL 20V PWRPAK SC70-6 | FET 型:2 个 P 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V... |