| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 参数 | PDF资料 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| SSM6N36FE(TE85L,F) | Toshiba | SOT-563，SOT-666 | 8000 | MOSFET DUAL N-CH 20V .5A ES6 | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| SSM6N37CTD(TPL3) | Toshiba | 6-SMD，扁平引线 | MOSFET DUAL N-CH 20V .25A CST6D | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| SSM6N37FE,LM | Toshiba | SOT-563，SOT-666 | 8000 | MOSFET N CH 20V 250MA 2-2N1D | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| SSM6N42FE(TE85L,F) | Toshiba | SOT-563，SOT-666 | 35329 | MOSFET DUAL N-CH 20V .8A ES6 | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| SSM6N44FE(TE85L,F) | Toshiba | SOT-563，SOT-666 | MOSFET DUAL N-CH 30V .1A ES6 | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| SSM6N48FU,RF | Toshiba | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | 6000 | MOSFET N CH 30V 100MA 2-2J1C | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| SSM6N7002BFE(T5L,F | Toshiba | SOT-563，SOT-666 | 4000 | MOSFET DUAL N-CH 60V .2A ES6 | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| SSM6N7002BFU(T5L,F | Toshiba | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | 17605 | MOSFET DUAL N-CH 60V .2A US6 | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| SSM6N7002BFU,LF | Toshiba | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | 4900 | MOSFET N-CH 60V 200MA US6 | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| SSM6N7002FU(TE85LF) | Toshiba | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | MOSFET N-CHANNEL 60V US6 | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| SSM6P15FE(TE85L,F) | Toshiba | SOT-563，SOT-666 | 8000 | MOSFET DUAL P-CH 30V .1A ES6 | FET 型：2 个 P 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| SSM6P35FE(TE85L,F) | Toshiba | SOT-563，SOT-666 | 4000 | MOSFET DUAL P-CH 20V .1A ES6 | FET 型：2 个 P 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| SSM6P36FE(TE85L,F) | Toshiba | SOT-563，SOT-666 | MOSFET DUAL P-CH 20V .33A ES6 | FET 型：2 个 P 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| SSM6P41FE(TE85L,F) | Toshiba | SOT-563，SOT-666 | 7685 | MOSFET DUAL P-CH 20V .72A ES6 | FET 型：2 个 P 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| SSM6P47NU,LF | Toshiba | 6-WDFN 裸露焊盘 | 6000 | MOSFET P CH 20V 4A 2-2Y1A | FET 型：2 个 P 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| SSM6P49NU,LF | Toshiba | 6-WDFN 裸露焊盘 | MOSFET P CH 20V 4A 2-1Y1A | FET 型：2 个 P 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| STC5DNF30V | STMicroelectronics | 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） | MOSFET N-CH DUAL 30V 8-TSSOP | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| STC5NF20V | STMicroelectronics | 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） | MOSFET 2N-CH 20V 5A 8-TSSOP | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| STC5NF30V | STMicroelectronics | 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） | MOSFET 2N-CH 30V 5A 8-TSSOP | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| STC6NF30V | STMicroelectronics | 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） | MOSFET 2N-CH 30V 6A 8-TSSOP | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... |
