| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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SIA778DJ-T1-GE3 |
Vishay Siliconix | PowerPAK? SC-70-6 双 | 询价QQ： |
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| 简述：MOSFET 2N-CH 12V/20V SC70-6 参考包装数量：3000 参考包装形式：带卷 (TR) |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| SIA810DJ-T1-E3 | Vishay Siliconix | PowerPAK? SC-70-6 双 | MOSFET N-CH 20V 4.5A SC-70-6 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：二极管（隔离式）... | |
| SIA810DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | PowerPAK? SC-70-6 双 | MOSFET N-CH 20V 4.5A SC70-6 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：二极管（隔离式）... | |
| SIA811ADJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | PowerPAK? SC-70-6 双 | MOSFET P-CH D-S 20V PPAK SC70-6 | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：二极管（隔离式）... | |
| SIA777EDJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | PowerPAK? SC-70-6 双 | MOSFET N/P-CH 20V PPAK SC70-6L | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | |
| SIA533EDJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | PowerPAK? SC-70-6 双 | 3000 | MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC70-6 | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... |
| SIA519EDJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | PowerPAK? SC-70-6 双 | 3000 | MOSFET N/P-CH 20V 4.5A SC70-6 | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... |
