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SIA778DJ-T1-GE3

Vishay Siliconix PowerPAK? SC-70-6 双
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简述:MOSFET 2N-CH 12V/20V SC70-6
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

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SIA778DJ-T1-GE3参数资料

PDF资料下载:

FET 型:2 个 N 沟道(双)
FET 特点:逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss):12V,20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:4.5A,1.5A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:29 毫欧 @ 5A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大):1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:15nC @ 8V
输入电容 (Ciss) @ Vds:500pF @ 6V
功率 - 最大:6.5W,5W
安装类型:表面贴装

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