收藏本站

首页 > 分离式半导体产品 > FET - 阵列 > PHP225,118
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

PHP225,118

NXP Semiconductors 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 2680
询价QQ:
简述:MOSFET P-CH 30V 2.3A 8SOIC
参考包装数量:1
参考包装形式:

与PHP225,118相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
PHP225NQ04T,127 NXP Semiconductors TO-220-3 MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
PHP23NQ11T,127 NXP Semiconductors TO-220-3 4962 MOSFET N-CH 110V 23A TO220AB FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
PHP27NQ11T,127 NXP Semiconductors TO-220-3 4998 MOSFET N-CH 110V 27.6A TO220AB FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
PHP222NQ04LT,127 NXP Semiconductors TO-220-3 MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
PHP21N06T,127 NXP Semiconductors TO-220-3 MOSFET N-CH 55V 21A TO220AB FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
PHP21N06LT,127 NXP Semiconductors TO-220-3 MOSFET N-CH 55V 19A TO220AB FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

PHP225,118参数资料

PDF资料下载:

FET 型:2 个 P 沟道(双)
FET 特点:逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss):30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:2.3A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:250 毫欧 @ 1A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大):2.8V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs:25nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:250pF @ 20V
功率 - 最大:2W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别