收藏本站

首页 > 分离式半导体产品 > FET - 阵列 > MMDF2C03HDR2
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

MMDF2C03HDR2

ON Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
询价QQ:
简述:MOSFET N/P-CH 30V 3A 8-SOIC
参考包装数量:2500
参考包装形式:带卷 (TR)

与MMDF2C03HDR2相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
MMDF2C03HDR2G ON Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N/P-CHAN 2A 30V 8SOIC FET 型:N 和 P 沟道 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss...
MMDF2N02ER2 ON Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET 2N-CH 25V 3.6A 8-SOIC FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
MMDF2N02ER2G ON Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CHAN DUAL 2A 25V 8SOIC FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
MMDF1N05ER2G ON Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CHAN DUAL 2A 50V 8SOIC FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
MMDF1N05ER2 ON Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET 2N-CH 50V 2A 8-SOIC FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
MMD25-0501P1 Vishay Dale CONN RACK/PANEL 50POS 5A ...

MMDF2C03HDR2参数资料

PDF资料下载:

FET 型:N 和 P 沟道
FET 特点:逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss):30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:4.1A,3A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:70 毫欧 @ 3A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大):3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:16nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:630pF @ 24V
功率 - 最大:2W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别