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首页 > 分离式半导体产品 > FET - 阵列 > DI9952T
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DI9952T

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简述:MOSFET N+P 30V 2.9A 8-SOIC
参考包装数量:1
参考包装形式:剪切带 (CT)

与DI9952T相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
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DI9945T Diodes Inc 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 1833 MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8-SOIC FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:标准 漏极至源极电压(Vdss...
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DI9952T参数资料


FET 型:N 和 P 沟道
FET 特点:标准
漏极至源极电压(Vdss):30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:2.9A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:-
Id 时的 Vgs(th)(最大):-
闸电荷(Qg) @ Vgs:-
输入电容 (Ciss) @ Vds:-
功率 - 最大:2W
安装类型:表面贴装

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