| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 参数 | PDF资料 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| ALD110800PCL | Advanced Linear Devices Inc | 16-DIP（0.300"，7.62mm） | 9 | MOSFET N-CH 10.6V QUAD 16PDIP | FET 型：4 N 沟道，配对 FET 特点：标准 漏极至源极电压(Vdss)：... | |
| ALD110800SCL | Advanced Linear Devices Inc | 16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 37 | MOSFET N-CH 10.6V QUAD 16SOIC | FET 型：4 N 沟道，配对 FET 特点：标准 漏极至源极电压(Vdss)：... | |
| ALD110802PCL | Advanced Linear Devices Inc | 16-DIP（0.300"，7.62mm） | 15 | MOSFET N-CH 10.6V QUAD 16PDIP | FET 型：4 N 沟道，配对 FET 特点：标准 漏极至源极电压(Vdss)：... | |
| ALD110802SCL | Advanced Linear Devices Inc | 16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 81 | MOSFET N-CH 10.6V QUAD 16SOIC | FET 型：4 N 沟道，配对 FET 特点：标准 漏极至源极电压(Vdss)：... | |
| ALD110804PCL | Advanced Linear Devices Inc | 16-DIP（0.300"，7.62mm） | 15 | MOSFET N-CH 10.6V QUAD 16PDIP | FET 型：4 N 沟道，配对 FET 特点：标准 漏极至源极电压(Vdss)：... | |
| ALD110804SCL | Advanced Linear Devices Inc | 16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 82 | MOSFET N-CH 10.6V QUAD 16SOIC | FET 型：4 N 沟道，配对 FET 特点：标准 漏极至源极电压(Vdss)：... | |
| ALD110808APCL | Advanced Linear Devices Inc | 16-DIP（0.300"，7.62mm） | 40 | MOSFET N-CH 10.6V QUAD 16PDIP | FET 型：4 N 沟道，配对 FET 特点：标准 漏极至源极电压(Vdss)：... | |
| ALD110808ASCL | Advanced Linear Devices Inc | 16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 96 | MOSFET N-CH 10.6V QUAD 16SOIC | FET 型：4 N 沟道，配对 FET 特点：标准 漏极至源极电压(Vdss)：... | |
| ALD110808PCL | Advanced Linear Devices Inc | 16-DIP（0.300"，7.62mm） | 20 | MOSFET N-CH 10.6V QUAD 16PDIP | FET 型：4 N 沟道，配对 FET 特点：标准 漏极至源极电压(Vdss)：... | |
| ALD110808SCL | Advanced Linear Devices Inc | 16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 67 | MOSFET N-CH 10.6V QUAD 16SOIC | FET 型：4 N 沟道，配对 FET 特点：标准 漏极至源极电压(Vdss)：... | |
| ALD110814PCL | Advanced Linear Devices Inc | 16-DIP（0.300"，7.62mm） | 39 | MOSFET N-CH 10.6V QUAD 16PDIP | FET 型：4 N 沟道，配对 FET 特点：标准 漏极至源极电压(Vdss)：... | |
| ALD110902PAL | Advanced Linear Devices Inc | 8-DIP（0.300"，7.62mm） | 111 | MOSFET N-CH 10.6V DUAL 8PDIP | FET 型：2 N 沟道（双）配对 FET 特点：标准 漏极至源极电压(Vdss... | |
| ALD110902SAL | Advanced Linear Devices Inc | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 50 | MOSFET N-CH 10.6V DUAL 8SOIC | FET 型：2 N 沟道（双）配对 FET 特点：标准 漏极至源极电压(Vdss... | |
| ALD110904PAL | Advanced Linear Devices Inc | 8-DIP（0.300"，7.62mm） | 108 | MOSFET N-CH 10.6V DUAL 8PDIP | FET 型：2 N 沟道（双）配对 FET 特点：标准 漏极至源极电压(Vdss... | |
| ALD110904SAL | Advanced Linear Devices Inc | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 36 | MOSFET N-CH 10.6V DUAL 8SOIC | FET 型：2 N 沟道（双）配对 FET 特点：标准 漏极至源极电压(Vdss... | |
| ALD110908APAL | Advanced Linear Devices Inc | 8-DIP（0.300"，7.62mm） | 97 | MOSFET N-CH 10.6V DUAL 8PDIP | FET 型：2 N 沟道（双）配对 FET 特点：标准 漏极至源极电压(Vdss... | |
| ALD110908ASAL | Advanced Linear Devices Inc | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 90 | MOSFET N-CH 10.6V DUAL 8SOIC | FET 型：2 N 沟道（双）配对 FET 特点：标准 漏极至源极电压(Vdss... | |
| ALD110908PAL | Advanced Linear Devices Inc | 8-DIP（0.300"，7.62mm） | 61 | MOSFET N-CH 10.6V DUAL 8PDIP | FET 型：2 N 沟道（双）配对 FET 特点：标准 漏极至源极电压(Vdss... | |
| ALD1115SAL | Advanced Linear Devices Inc | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 50 | MOSFET N/P-CH 13.2V 8SOIC | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：标准 漏极至源极电压(Vdss)：1... | |
| ALD1116PAL | Advanced Linear Devices Inc | 8-DIP（0.300"，7.62mm） | 52 | MOSFET 2N-CH 13.2V 4.8MA 8PDIP | FET 型：2 N 沟道（双）配对 FET 特点：标准 漏极至源极电压(Vdss... |
