| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
|---|---|---|---|---|---|
ALD110808SCL |
Advanced Linear Devices Inc | 16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 67 | 询价QQ： |
|
| 简述：MOSFET N-CH 10.6V QUAD 16SOIC 参考包装数量：48 参考包装形式：管件 |
|||||
| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
|---|---|---|---|---|---|
| ALD110814PCL | Advanced Linear Devices Inc | 16-DIP（0.300"，7.62mm） | 39 | MOSFET N-CH 10.6V QUAD 16PDIP | FET 型：4 N 沟道，配对 FET 特点：标准 漏极至源极电压(Vdss)：... |
| ALD110814SCL | Advanced Linear Devices Inc | 16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 88 | MOSFET N-CH 10.6V QUAD 16SOIC | FET 型：4 N 沟道，配对 FET 特点：标准 漏极至源极电压(Vdss)：... |
| ALD1108EPCL | Advanced Linear Devices Inc | 16-DIP（0.300"，7.62mm） | MOSFET N-CH ADJ QUAD 16PDIP | FET 型：4 N 沟道，配对 FET 特点：标准 漏极至源极电压(Vdss)：... | |
| ALD110808PCL | Advanced Linear Devices Inc | 16-DIP（0.300"，7.62mm） | 20 | MOSFET N-CH 10.6V QUAD 16PDIP | FET 型：4 N 沟道，配对 FET 特点：标准 漏极至源极电压(Vdss)：... |
| ALD110808ASCL | Advanced Linear Devices Inc | 16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 96 | MOSFET N-CH 10.6V QUAD 16SOIC | FET 型：4 N 沟道，配对 FET 特点：标准 漏极至源极电压(Vdss)：... |
| ALD110808APCL | Advanced Linear Devices Inc | 16-DIP（0.300"，7.62mm） | 40 | MOSFET N-CH 10.6V QUAD 16PDIP | FET 型：4 N 沟道，配对 FET 特点：标准 漏极至源极电压(Vdss)：... |
