| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 参数 | PDF资料 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| TPCS8303(TE12L,Q) | Toshiba | 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） | MOSFET P-CH DUAL 20V 5A 8TSSOP | FET 型：2 个 P 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| TPCT4203(TE12L,E) | Toshiba | 4-SMD，扁平引线 | MOSFET N-CH DUAL 20V 6A STP2 | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| TPS1120D | Texas Instruments | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 452 | MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8-SOIC | FET 型：2 个 P 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| TPS1120DG4 | Texas Instruments | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 0+8100 | MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8-SOIC | FET 型：2 个 P 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| TPS1120DR | Texas Instruments | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 5000+42500 | MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8-SOIC | FET 型：2 个 P 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| TPS1120DRG4 | Texas Instruments | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 0+42500 | MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8-SOIC | FET 型：2 个 P 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| TT8J1TR | Rohm Semiconductor | 8-TSST | MOSFET P-CH DUAL 12V 2.5A TSST8 | FET 型：2 个 P 沟道（双） FET 特点：标准 漏极至源极电压(Vdss... | ||
| TT8J21TR | Rohm Semiconductor | 8-TSST | 3000 | MOSFET P-CH 20V 2.5A TSST8 | FET 型：2 个 P 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| TT8J2TR | Rohm Semiconductor | 8-TSST | 16873 | MOSFET 2P-CH 30V 2.5A TSST8 | FET 型：2 个 P 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| TT8K2TR | Rohm Semiconductor | 8-TSST | 3000 | MOSFET 2N-CH 30V 2.5A TSST8 | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| TT8M2TR | Rohm Semiconductor | 8-TSST | MOSFET N/P-CH 30V 2.5A TSST8 | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... |
