| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 参数 | PDF资料 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| STS2DNF30L | STMicroelectronics | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 1945 | MOSFET 2N-CH 30V 3A 8SOIC | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| STS2DPF80 | STMicroelectronics | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET 2P-CH 80V 2A 8SOIC | FET 型：2 个 P 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| STS3C2F100 | STMicroelectronics | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET N/P-CH 100V 3A 8SOIC | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | ||
| STS3DNE60L | STMicroelectronics | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET N-CH 60V 3A 8-SOIC | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| STS3DPF60L | STMicroelectronics | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET 2P-CH 60V 3A 8-SOIC | FET 型：2 个 P 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| STS4C3F60L | STMicroelectronics | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET N+P 60V 3A 8-SOIC | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | ||
| STS4DNF30L | STMicroelectronics | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 8445 | MOSFET N-CHAN DUAL 30V 4A 8-SOIC | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| STS4DNF60 | STMicroelectronics | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET N-CH 60V 4A 8-SOIC | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| STS4DNF60L | STMicroelectronics | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 31044 | MOSFET 2N-CH 60V 4A 8-SOIC | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| STS4DPF20L | STMicroelectronics | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET P-CH DUAL 20V 4A 8-SOIC | FET 型：2 个 P 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| STS4DPF30L | STMicroelectronics | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 7500 | MOSFET 2P-CH 30V 4A 8-SOIC | FET 型：2 个 P 沟道（双） FET 特点：标准 漏极至源极电压(Vdss... | |
| STS5DNF20V | STMicroelectronics | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 5000 | MOSFET 2N-CH 20V 5A 8-SOIC | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| STS5DNF60L | STMicroelectronics | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET 2N-CH 60V 5A 8-SOIC | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| STS5DPF20L | STMicroelectronics | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 2500 | MOSFET P-CHAN 20V 5A 8SOIC | FET 型：2 个 P 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| STS7C4F30L | STMicroelectronics | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET N+P 30V 4/7A 8-SOIC | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | ||
| STS8C5H30L | STMicroelectronics | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 12500 | MOSFET N/P-CH 30V 8A/5.4A 8SOIC | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | |
| STS8DN3LLH5 | STMicroelectronics | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET 2N-CH 30V 10A SO8 | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| STS8DNF3LL | STMicroelectronics | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 5000 | MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| STS8DNH3LL | STMicroelectronics | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| STS9D8NH3LL | STMicroelectronics | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 2500 | MOSFET DUAL N-CHAN 30V 9A 8-SOIC | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... |
