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首页 > 元器件分类 > 分离式半导体产品 > FET - 阵列 A开头
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型号 品牌 封装 数量 描述 参数 PDF资料
AON7820 Alpha & Omega Semiconductor Inc 8-VDFN 裸露焊盘 MOSFET 2N-CH 20V 35A DFN3X3 FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
AON7826 Alpha & Omega Semiconductor Inc 8-VDFN 裸露焊盘 MOSFET 2N-CH 20V 9A 8DFN FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
AON7900 Alpha & Omega Semiconductor Inc 8-WDFN 裸露焊盘 6000 MOSFET 2N-CH 30V 24A/40A DFN FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
AON7902 Alpha & Omega Semiconductor Inc 8-WDFN 裸露焊盘 MOSFET 2N-CH 30V 24A/40A DFN3X3 FET 型:2 N 沟道(双)非对称型 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压...
AON7932 Alpha & Omega Semiconductor Inc 8-WDFN 裸露焊盘 MOSFET 2N-CH 30V 26A/35A DFN3X3A FET 型:2 N 沟道(非对称桥) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(...
AON7934 Alpha & Omega Semiconductor Inc 8-WDFN 裸露焊盘 MOSFET 2N-CH 30V 13A, 15A DFN3X3 FET 型:2 N 沟道(双)非对称型 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压...
AOP605 Alpha & Omega Semiconductor Inc 8-DIP(0.300",7.62mm) MOSFET N/P-CH COMPL 30V 8-PDIP FET 型:N 和 P 沟道 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss...
AOP607 Alpha & Omega Semiconductor Inc 8-DIP(0.300",7.62mm) MOSFET N/P-CH COMPL 60V 8-PDIP FET 型:N 和 P 沟道 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss...
AOP609 Alpha & Omega Semiconductor Inc 8-DIP(0.300",7.62mm) MOSFET N/P-CH COMPL 60V 8-PDIP FET 型:N 和 P 沟道 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss...
AOP610 Alpha & Omega Semiconductor Inc 8-DIP(0.300",7.62mm) MOSFET N/P-CH COMPL 30V 8-PDIP FET 型:N 和 P 沟道 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss...
AUIRF7343Q International Rectifier 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N/P-CH 55V 4.7/3.4A 8SOIC FET 型:N 和 P 沟道 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss...
AUIRF7343QTR International Rectifier 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N/P-CH 55V 4.7/3.4A 8SOIC FET 型:N 和 P 沟道 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss...

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