| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 参数 | PDF资料 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| HGT1S10N120BNS | Fairchild Semiconductor | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | 390+800 | IGBT NPT N-CHAN 1200V TO-263AB | IGBT 类型：NPT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：1200V Vge,... | |
| HGT1S10N120BNST | Fairchild Semiconductor | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | 981+3200 | IGBT NPT N-CHAN 1200V TO-263AB | IGBT 类型：NPT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：1200V Vge,... | |
| HGT1S12N60A4DS | Fairchild Semiconductor | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | IGBT SMPS N-CH 600V D2PAK | IGBT 类型：- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：600V Vge, Ic... | ||
| HGT1S12N60A4S9A | Fairchild Semiconductor | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | IGBT SMPS N-CHAN 600V TO-263AB | IGBT 类型：- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：600V Vge, Ic... | ||
| HGT1S14N36G3VLS | Fairchild Semiconductor | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | IGBT ESD N-CHAN 380V TO-263AB | IGBT 类型：- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：390V Vge, Ic... | ||
| HGT1S14N36G3VLT | Fairchild Semiconductor | TO-220-3 | IGBT ESD N-CHAN 380V TO-220AB | IGBT 类型：- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：390V Vge, Ic... | ||
| HGT1S20N35G3VLS | Fairchild Semiconductor | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | IGBT ESD N-CHAN 350V TO-263AB | IGBT 类型：- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：380V Vge, Ic... | ||
| HGT1S20N36G3VL | Fairchild Semiconductor | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA | IGBT ESD N-CHAN 360V TO-262AA | IGBT 类型：- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：395V Vge, Ic... | ||
| HGT1S20N60A4S9A | Fairchild Semiconductor | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | IGBT SMPS N-CHAN 600V TO-263AB | IGBT 类型：- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：600V Vge, Ic... | ||
| HGT1S20N60C3S9A | Fairchild Semiconductor | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | IGBT UFS N-CHAN 600V TO-263AB | IGBT 类型：- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：600V Vge, Ic... | ||
| HGT1S2N120CN | Fairchild Semiconductor | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA | IGBT NPT N-CH 1200V 13A I2PAK | IGBT 类型：NPT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：1200V Vge,... | ||
| HGT1S3N60A4DS9A | Fairchild Semiconductor | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | IGBT SMPS N-CH 600V D2PAK | IGBT 类型：- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：600V Vge, Ic... | ||
| HGT1S7N60A4DS | Fairchild Semiconductor | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | IGBT SMPS N-CHAN 600V TO-263AB | IGBT 类型：- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：600V Vge, Ic... | ||
| HGT1S7N60C3DS | Fairchild Semiconductor | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | IGBT UFS N-CH 600V 14A TO-263AB | IGBT 类型：- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：600V Vge, Ic... | ||
| HGT1S7N60C3DS9A | Fairchild Semiconductor | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | IGBT UFS N-CH 600V 14A TO-263AB | IGBT 类型：- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：600V Vge, Ic... | ||
| HGTD1N120BNS9A | Fairchild Semiconductor | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | IGBT NPT N-CH 1200V 5.3A TO252AA | IGBT 类型：NPT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：1200V Vge,... | ||
| HGTD3N60C3S9A | Fairchild Semiconductor | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | IGBT UFS N-CH 600V 6A TO-252AA | IGBT 类型：- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：600V Vge, Ic... | ||
| HGTD7N60C3S9A | Fairchild Semiconductor | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | 0+95000 | IGBT UFS N-CH 600V 14A TO-252AA | IGBT 类型：- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：600V Vge, Ic... | |
| HGTG10N120BND | Fairchild Semiconductor | TO-247-3 | 310+1500 | IGBT N-CH NPT 1200V 35A TO-247 | IGBT 类型：NPT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：1200V Vge,... | |
| HGTG11N120CN | Fairchild Semiconductor | TO-247-3 | IGBT NPT N-CH 1200V 43A TO-247 | IGBT 类型：NPT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：1200V Vge,... |
