| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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HGTD1N120BNS9A |
Fairchild Semiconductor | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | 询价QQ： |
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| 简述：IGBT NPT N-CH 1200V 5.3A TO252AA 参考包装数量：2500 参考包装形式：带卷 (TR) |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| HGTD3N60C3S9A | Fairchild Semiconductor | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | IGBT UFS N-CH 600V 6A TO-252AA | IGBT 类型：- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：600V Vge, Ic... | |
| HGTD7N60C3S9A | Fairchild Semiconductor | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | 0+95000 | IGBT UFS N-CH 600V 14A TO-252AA | IGBT 类型：- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：600V Vge, Ic... |
| HGTG10N120BND | Fairchild Semiconductor | TO-247-3 | 310+1500 | IGBT N-CH NPT 1200V 35A TO-247 | IGBT 类型：NPT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：1200V Vge,... |
| HGT1S7N60C3DS9A | Fairchild Semiconductor | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | IGBT UFS N-CH 600V 14A TO-263AB | IGBT 类型：- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：600V Vge, Ic... | |
| HGT1S7N60C3DS | Fairchild Semiconductor | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | IGBT UFS N-CH 600V 14A TO-263AB | IGBT 类型：- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：600V Vge, Ic... | |
| HGT1S7N60A4DS | Fairchild Semiconductor | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | IGBT SMPS N-CHAN 600V TO-263AB | IGBT 类型：- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：600V Vge, Ic... |
