收藏本站

首页 > 元器件分类 > 分离式半导体产品 > IGBT - 单路 G开头
元件索引: A B C F G H I M N R S T
型号 品牌 封装 数量 描述 参数 PDF资料
GT10G131(TE12L,Q) Toshiba 8-SOIC(0.173",4.40mm 宽) IGBT 400V 200A 8-SOIC IGBT 类型:- 电压 - 集电极发射极击穿(最大):400V Vge, Ic...
GT10J303(Q) Toshiba TO-220-3 整包 IGBT 600V 10A TO220NIS IGBT 类型:- 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vge, Ic...
GT10J312(Q) Toshiba TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 IGBT 600V 10A TO-220SM IGBT 类型:- 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vge, Ic...
GT10J321(Q) Toshiba TO-220-3 整包 IGBT 600V 10A TO220NIS IGBT 类型:- 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vge, Ic...
GT10Q101(Q) Toshiba TO-3P-3,SC-65-3 IGBT 1200V 10A TO-3PN IGBT 类型:- 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1200V Vge, I...
GT10Q301(Q) Toshiba TO-3P-3,SC-65-3 IGBT DUAL 1200V 10A TO-3PN IGBT 类型:- 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1200V Vge, I...
GT15J301(Q) Toshiba TO-220-3 整包 IGBT DUAL 600V 10A TO220NIS IGBT 类型:- 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vge, Ic...
GT15J311(SM,Q) Toshiba TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 IGBT 600V 15A TO-220SM IGBT 类型:- 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vge, Ic...
GT15Q102(Q) Toshiba TO-3P-3,SC-65-3 IGBT 1200V 15A TO-3PN IGBT 类型:- 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1200V Vge, I...
GT20J321(Q) Toshiba TO-220-3 整包 IGBT DUAL 600V 20A TO220NIS IGBT 类型:- 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vge, Ic...
GT25Q102(Q) Toshiba TO-3PL IGBT 1200V 25A TO-3P LH IGBT 类型:- 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1200V Vge, I...
GT25Q301(Q) Toshiba TO-3PL IGBT DUAL 1200V 25A TO-3P LH IGBT 类型:- 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1200V Vge, I...
GT30J121(Q) Toshiba TO-3P-3,SC-65-3 IGBT 600V 30A TO-3PN IGBT 类型:- 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vge, Ic...
GT30J324(Q) Toshiba TO-3P-3,SC-65-3 IGBT DUAL 600V 30A TO-3PN IGBT 类型:- 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vge, Ic...
GT50J102(Q) Toshiba TO-3PL IGBT 600V 50A TO-3P LH IGBT 类型:- 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vge, Ic...
GT50J121(Q) Toshiba TO-3PL IGBT 600V 50A TO-3P LH IGBT 类型:- 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vge, Ic...
GT5G131(TE12L,Q) Toshiba 8-SOIC(0.173",4.40mm 宽) IGBT 400V 5A 8-SOIC IGBT 类型:- 电压 - 集电极发射极击穿(最大):400V Vge, Ic...
GT60M303(Q) Toshiba TO-3PL IGBT 900V DUAL 60A TO-3P LH IGBT 类型:- 电压 - 集电极发射极击穿(最大):900V Vge, Ic...
GT60M323(Q) Toshiba TO-3PL IGBT 900V DUAL 60A TO-3P LH IGBT 类型:- 电压 - 集电极发射极击穿(最大):900V Vge, Ic...
GT60N321(Q) Toshiba TO-3PL IGBT 1000V 60A TO-3P LH IGBT 类型:- 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1000V Vge, I...

[1] [2]