| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 参数 | PDF资料 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| GT15J301(Q) | Toshiba | TO-220-3 整包 | IGBT DUAL 600V 10A TO220NIS | IGBT 类型：- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：600V Vge, Ic... | ||
| GT15J311(SM,Q) | Toshiba | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | IGBT 600V 15A TO-220SM | IGBT 类型：- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：600V Vge, Ic... | ||
| GT15Q102(Q) | Toshiba | TO-3P-3，SC-65-3 | IGBT 1200V 15A TO-3PN | IGBT 类型：- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：1200V Vge, I... | ||
| GT20J321(Q) | Toshiba | TO-220-3 整包 | IGBT DUAL 600V 20A TO220NIS | IGBT 类型：- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：600V Vge, Ic... | ||
| GT30J121(Q) | Toshiba | TO-3P-3，SC-65-3 | IGBT 600V 30A TO-3PN | IGBT 类型：- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：600V Vge, Ic... | ||
| GT30J324(Q) | Toshiba | TO-3P-3，SC-65-3 | IGBT DUAL 600V 30A TO-3PN | IGBT 类型：- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：600V Vge, Ic... | ||
| GT50J102(Q) | Toshiba | TO-3PL | IGBT 600V 50A TO-3P LH | IGBT 类型：- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：600V Vge, Ic... | ||
| GT50J121(Q) | Toshiba | TO-3PL | IGBT 600V 50A TO-3P LH | IGBT 类型：- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：600V Vge, Ic... | ||
| GT5G131(TE12L,Q) | Toshiba | 8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽） | IGBT 400V 5A 8-SOIC | IGBT 类型：- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：400V Vge, Ic... | ||
| GT60M303(Q) | Toshiba | TO-3PL | IGBT 900V DUAL 60A TO-3P LH | IGBT 类型：- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：900V Vge, Ic... | ||
| GT60M323(Q) | Toshiba | TO-3PL | IGBT 900V DUAL 60A TO-3P LH | IGBT 类型：- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：900V Vge, Ic... | ||
| GT60N321(Q) | Toshiba | TO-3PL | IGBT 1000V 60A TO-3P LH | IGBT 类型：- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：1000V Vge, I... | ||
| GT60N322(Q) | Toshiba | TO-3PL | IGBT 1000V 57A TO-3P LH | IGBT 类型：- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：1000V Vge, I... | ||
| GT80J101B(Q) | Toshiba | TO-3PL | IGBT 600V 80A TO-3P LH | IGBT 类型：- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：600V Vge, Ic... | ||
| GT8G133(TE12L,Q) | Toshiba | 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） | IGBT 400V 150A 8-TSSOP | IGBT 类型：- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：400V Vge, Ic... | ||
| GT8G134(TE12L,Q) | Toshiba | 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） | IGBT 400V 150A 8-TSSOP | IGBT 类型：- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：400V Vge, Ic... | ||
| GT25Q301(Q) | Toshiba | TO-3PL | IGBT DUAL 1200V 25A TO-3P LH | IGBT 类型：- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：1200V Vge, I... | ||
| GT25Q102(Q) | Toshiba | TO-3PL | IGBT 1200V 25A TO-3P LH | IGBT 类型：- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：1200V Vge, I... | ||
| GT10Q301(Q) | Toshiba | TO-3P-3，SC-65-3 | IGBT DUAL 1200V 10A TO-3PN | IGBT 类型：- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：1200V Vge, I... | ||
| GT10Q101(Q) | Toshiba | TO-3P-3，SC-65-3 | IGBT 1200V 10A TO-3PN | IGBT 类型：- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：1200V Vge, I... |
