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HGT1S10N120BNST

Fairchild Semiconductor TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB 981+3200
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简述:IGBT NPT N-CHAN 1200V TO-263AB
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型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
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HGT1S10N120BNST参数资料

PDF资料下载:

IGBT 类型:NPT
电压 - 集电极发射极击穿(最大):1200V
Vge, Ic时的最大Vce(开):2.7V @ 15V,10A
电流 - 集电极 (Ic)(最大):35A
功率 - 最大:298W
输入类型:标准
安装类型:表面贴装

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