| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 参数 | PDF资料 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FGA120N30DTU | Fairchild Semiconductor | TO-3P-3，SC-65-3 | IGBT PDP 300V 10A TO-3P | IGBT 类型：- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：300V Vge, Ic... | ||
| FGA15N120ANDTU | Fairchild Semiconductor | TO-3P-3，SC-65-3 | IGBT NPT TRENCH 1200V 15A TO-3P | IGBT 类型：NPT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：1200V Vge,... | ||
| FGA15N120ANTDTU | Fairchild Semiconductor | TO-3P-3，SC-65-3 | IGBT NPT 1200V 15A TO-3P | IGBT 类型：NPT 和沟道 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：1200V ... | ||
| FGA15N120ANTDTU_F109 | Fairchild Semiconductor | TO-3P-3，SC-65-3 | 450 | IGBT NPT 15A 1200V TO-3P | IGBT 类型：NPT 和沟道 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：1200V ... | |
| FGA15N120FTDTU | Fairchild Semiconductor | TO-3P-3，SC-65-3 | 260+450 | IGBT 1200V 15A TO-3PN | IGBT 类型：沟道和场截止 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：1200V V... | |
| FGA180N30DTU | Fairchild Semiconductor | TO-3P-3，SC-65-3 | IGBT PDP 300V 10A TO-3P | IGBT 类型：- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：300V Vge, Ic... | ||
| FGA180N33ATDTU | Fairchild Semiconductor | TO-3P-3，SC-65-3 | 411 | IGBT PDP TRENCH 330V 180A TO-3P | IGBT 类型：沟道 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：330V Vge, I... | |
| FGA180N33ATTU | Fairchild Semiconductor | TO-3P-3，SC-65-3 | IGBT PDP TRENCH 330V 180A TO-3P | IGBT 类型：沟道 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：330V Vge, I... | ||
| FGA20N120FTDTU | Fairchild Semiconductor | TO-3P-3，SC-65-3 | 450+21150 | IGBT TRENCH 20A 1200V TO-3PN | IGBT 类型：沟道和场截止 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：1200V V... | |
| FGA20S120M | Fairchild Semiconductor | TO-3P-3，SC-65-3 | 639+330300 | IGBT 1200V 40A 348W TO3PN | IGBT 类型：沟道和场截止 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：1200V V... | |
| FGA25N120ANDTU | Fairchild Semiconductor | TO-3P-3，SC-65-3 | IGBT NPT W/DIODE 1200V 25A TO-3P | IGBT 类型：NPT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：1200V Vge,... | ||
| FGA25N120ANTDTU | Fairchild Semiconductor | TO-3P-3，SC-65-3 | 5278 | IGBT NPT TRENCH 1200V 50A TO3P | IGBT 类型：NPT 和沟道 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：1200V ... | |
| FGA25N120ANTDTU_F109 | Fairchild Semiconductor | TO-3P-3，SC-65-3 | 0+4950 | IGBT NPT 25A 1200V TO-3P | IGBT 类型：NPT 和沟道 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：1200V ... | |
| FGA25N120ANTU | Fairchild Semiconductor | TO-3P-3，SC-65-3 | IGBT NPT TRENCH 1200V 25A TO-3P | IGBT 类型：NPT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：1200V Vge,... | ||
| FGA25N120FTD | Fairchild Semiconductor | TO-3P-3，SC-65-3 | 726+450 | IGBT TRENCH 1200V 50A TO-3P | IGBT 类型：沟道和场截止 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：1200V V... | |
| FGA30N120FTDTU | Fairchild Semiconductor | TO-3P-3，SC-65-3 | 617 | IGBT 30A 1200V TRENCH TO-3P | IGBT 类型：沟道和场截止 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：1200V V... | |
| FGA30N60LSDTU | Fairchild Semiconductor | TO-3P-3，SC-65-3 | 450+900 | IGBT 600V 60A TO-3PN | IGBT 类型：沟道和场截止 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：600V Vg... | |
| FGA30S120P | Fairchild Semiconductor | TO-3P-3，SC-65-3 | IGBT 1300V 60A TO-3P | IGBT 类型：沟道和场截止 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：1300V V... | ||
| FGA40N60UFDTU | Fairchild Semiconductor | TO-3P-3，SC-65-3 | IGBT ULTRAFAST 600V 40A TO3P | IGBT 类型：- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：600V Vge, Ic... | ||
| FGA40N65SMD | Fairchild Semiconductor | TO-3P-3，SC-65-3 | 379 | IGBT 650V 80A TO-3P | IGBT 类型：场截止 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：650V Vge, ... |
