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首页 > 元器件分类 > 分离式半导体产品 > IGBT - 单路 N开头
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型号 品牌 封装 数量 描述 参数 PDF资料
NGB15N41ACLT4G ON Semiconductor TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB IGBT N-CH 15A 440V D2PAK-3 IGBT 类型:- 电压 - 集电极发射极击穿(最大):440V Vge, Ic... 点击下载
NGB15N41CLT4 ON Semiconductor TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB IGBT N-CHAN 15A 410V D2PAK IGBT 类型:- 电压 - 集电极发射极击穿(最大):440V Vge, Ic... 点击下载
NGB15N41CLT4G ON Semiconductor TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB IGBT N-CHAN 15A 410V D2PAK IGBT 类型:- 电压 - 集电极发射极击穿(最大):440V Vge, Ic... 点击下载
NGB18N40ACLBT4G ON Semiconductor TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB IGBT N-CH 18A 400V D2PAK-3 IGBT 类型:- 电压 - 集电极发射极击穿(最大):430V Vge, Ic... 点击下载
NGB18N40CLBT4 ON Semiconductor TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB IGBT N-CHAN 18A 400V ESD D2PAK IGBT 类型:- 电压 - 集电极发射极击穿(最大):430V Vge, Ic... 点击下载
NGB18N40CLBT4G ON Semiconductor TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB IGBT N-CHAN 18A 400V ESD D2PAK IGBT 类型:- 电压 - 集电极发射极击穿(最大):430V Vge, Ic... 点击下载
NGB8202ANT4G ON Semiconductor TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB IGBT IGNIT N-CH 20A 400V D2PAK IGBT 类型:- 电压 - 集电极发射极击穿(最大):440V Vge, Ic... 点击下载
NGB8202NT4 ON Semiconductor TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB IGBT IGNIT N-CHAN 20A 400V D2PAK IGBT 类型:- 电压 - 集电极发射极击穿(最大):440V Vge, Ic... 点击下载
NGB8202NT4G ON Semiconductor TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB 0+800 IGBT IGNIT N-CHAN 20A 400V D2PAK IGBT 类型:- 电压 - 集电极发射极击穿(最大):440V Vge, Ic... 点击下载
NGB8204ANT4G ON Semiconductor TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB 0+3200 IGBT IGNIT N-CH 18A 430V D2PAK-3 IGBT 类型:- 电压 - 集电极发射极击穿(最大):430V Vge, Ic... 点击下载
NGB8204NT4 ON Semiconductor TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB IGBT IGNIT N-CHAN 18A 400V D2PAK IGBT 类型:- 电压 - 集电极发射极击穿(最大):430V Vge, Ic... 点击下载
NGB8204NT4G ON Semiconductor TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB IGBT IGNIT N-CHAN 18A 400V D2PAK IGBT 类型:- 电压 - 集电极发射极击穿(最大):430V Vge, Ic... 点击下载
NGB8206ANSL3G ON Semiconductor TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB 0+2800 IGBT N-CH 20A 350V D2PAK-3 IGBT 类型:- 电压 - 集电极发射极击穿(最大):390V Vge, Ic... 点击下载
NGB8206ANT4G ON Semiconductor TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB 0+50400 IGBT N-CH 20A 350V D2PAK-3 IGBT 类型:- 电压 - 集电极发射极击穿(最大):390V Vge, Ic... 点击下载
NGB8206ANTF4G ON Semiconductor TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB 0+3500 IGBT N-CH 20A 350V D2PAK-3 IGBT 类型:- 电压 - 集电极发射极击穿(最大):390V Vge, Ic... 点击下载
NGB8206N ON Semiconductor TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB IGBT IGNIT N-CHAN 20A 350V D2PAK IGBT 类型:- 电压 - 集电极发射极击穿(最大):390V Vge, Ic... 点击下载
NGB8206NG ON Semiconductor TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB IGBT IGNIT N-CHAN 20A 350V D2PAK IGBT 类型:- 电压 - 集电极发射极击穿(最大):390V Vge, Ic... 点击下载
NGB8206NT4 ON Semiconductor TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB IGBT IGNITION 20A 350V D2PAK IGBT 类型:- 电压 - 集电极发射极击穿(最大):390V Vge, Ic... 点击下载
NGB8206NTF4 ON Semiconductor TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB IGBT IGNIT NCHAN 20A 400V D2PAK3 IGBT 类型:- 电压 - 集电极发射极击穿(最大):390V Vge, Ic...
NGB8207ABNT4G ON Semiconductor TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB 800 IGBT IGNIT N-CH 20A 365V D2PAK-3 IGBT 类型:- 电压 - 集电极发射极击穿(最大):365V Vge, Ic... 点击下载

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