型号 |
品牌 |
封装 |
数量 |
描述 |
参数 |
PDF资料 |
NGB15N41ACLT4G |
ON Semiconductor
|
TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
|
IGBT N-CH 15A 440V D2PAK-3 |
IGBT 类型:-
电压 - 集电极发射极击穿(最大):440V
Vge, Ic... |
|
NGB15N41CLT4 |
ON Semiconductor
|
TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
|
IGBT N-CHAN 15A 410V D2PAK |
IGBT 类型:-
电压 - 集电极发射极击穿(最大):440V
Vge, Ic... |
|
NGB15N41CLT4G |
ON Semiconductor
|
TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
|
IGBT N-CHAN 15A 410V D2PAK |
IGBT 类型:-
电压 - 集电极发射极击穿(最大):440V
Vge, Ic... |
|
NGB18N40ACLBT4G |
ON Semiconductor
|
TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
|
IGBT N-CH 18A 400V D2PAK-3 |
IGBT 类型:-
电压 - 集电极发射极击穿(最大):430V
Vge, Ic... |
|
NGB18N40CLBT4 |
ON Semiconductor
|
TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
|
IGBT N-CHAN 18A 400V ESD D2PAK |
IGBT 类型:-
电压 - 集电极发射极击穿(最大):430V
Vge, Ic... |
|
NGB18N40CLBT4G |
ON Semiconductor
|
TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
|
IGBT N-CHAN 18A 400V ESD D2PAK |
IGBT 类型:-
电压 - 集电极发射极击穿(最大):430V
Vge, Ic... |
|
NGB8202ANT4G |
ON Semiconductor
|
TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
|
IGBT IGNIT N-CH 20A 400V D2PAK |
IGBT 类型:-
电压 - 集电极发射极击穿(最大):440V
Vge, Ic... |
|
NGB8202NT4 |
ON Semiconductor
|
TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
|
IGBT IGNIT N-CHAN 20A 400V D2PAK |
IGBT 类型:-
电压 - 集电极发射极击穿(最大):440V
Vge, Ic... |
|
NGB8202NT4G |
ON Semiconductor
|
TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
0+800 |
IGBT IGNIT N-CHAN 20A 400V D2PAK |
IGBT 类型:-
电压 - 集电极发射极击穿(最大):440V
Vge, Ic... |
|
NGB8204ANT4G |
ON Semiconductor
|
TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
0+3200 |
IGBT IGNIT N-CH 18A 430V D2PAK-3 |
IGBT 类型:-
电压 - 集电极发射极击穿(最大):430V
Vge, Ic... |
|
NGB8204NT4 |
ON Semiconductor
|
TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
|
IGBT IGNIT N-CHAN 18A 400V D2PAK |
IGBT 类型:-
电压 - 集电极发射极击穿(最大):430V
Vge, Ic... |
|
NGB8204NT4G |
ON Semiconductor
|
TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
|
IGBT IGNIT N-CHAN 18A 400V D2PAK |
IGBT 类型:-
电压 - 集电极发射极击穿(最大):430V
Vge, Ic... |
|
NGB8206ANSL3G |
ON Semiconductor
|
TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
0+2800 |
IGBT N-CH 20A 350V D2PAK-3 |
IGBT 类型:-
电压 - 集电极发射极击穿(最大):390V
Vge, Ic... |
|
NGB8206ANT4G |
ON Semiconductor
|
TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
0+50400 |
IGBT N-CH 20A 350V D2PAK-3 |
IGBT 类型:-
电压 - 集电极发射极击穿(最大):390V
Vge, Ic... |
|
NGB8206ANTF4G |
ON Semiconductor
|
TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
0+3500 |
IGBT N-CH 20A 350V D2PAK-3 |
IGBT 类型:-
电压 - 集电极发射极击穿(最大):390V
Vge, Ic... |
|
NGB8206N |
ON Semiconductor
|
TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
|
IGBT IGNIT N-CHAN 20A 350V D2PAK |
IGBT 类型:-
电压 - 集电极发射极击穿(最大):390V
Vge, Ic... |
|
NGB8206NG |
ON Semiconductor
|
TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
|
IGBT IGNIT N-CHAN 20A 350V D2PAK |
IGBT 类型:-
电压 - 集电极发射极击穿(最大):390V
Vge, Ic... |
|
NGB8206NT4 |
ON Semiconductor
|
TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
|
IGBT IGNITION 20A 350V D2PAK |
IGBT 类型:-
电压 - 集电极发射极击穿(最大):390V
Vge, Ic... |
|
NGB8206NTF4 |
ON Semiconductor
|
TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
|
IGBT IGNIT NCHAN 20A 400V D2PAK3 |
IGBT 类型:-
电压 - 集电极发射极击穿(最大):390V
Vge, Ic... |
|
NGB8207ABNT4G |
ON Semiconductor
|
TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
800 |
IGBT IGNIT N-CH 20A 365V D2PAK-3 |
IGBT 类型:-
电压 - 集电极发射极击穿(最大):365V
Vge, Ic... |
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