| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 参数 | PDF资料 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| NGB15N41ACLT4G | ON Semiconductor | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | IGBT N-CH 15A 440V D2PAK-3 | IGBT 类型：- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：440V Vge, Ic... | ||
| NGTG15N60S1EG | ON Semiconductor | TO-220-3 | IGBT 15A 600V TO-220-3 | IGBT 类型：NPT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：600V Vge, ... | ||
| NGTB25N120LWG | ON Semiconductor | TO-247-3 | 10 | IGBT 1200V 25A LPT TO-247-3 | IGBT 类型：沟道和场截止 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：1200V V... | |
| NGTB25N120IHLWG | ON Semiconductor | TO-247-3 | IGBT 1200V 25A FS1 TO-247-3 | IGBT 类型：- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：1200V Vge, I... | ||
| NGTB20N120LWG | ON Semiconductor | TO-247-3 | 20 | IGBT 1200V 20A FS1 TO-247-3 | IGBT 类型：沟道和场截止 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：1200V V... | |
| NGTB20N120IHLWG | ON Semiconductor | TO-247-3 | 255+74610 | IGBT 1200V 20A FS1 TO-247-3 | IGBT 类型：- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：1200V Vge, I... | |
| NGTB15N60S1EG | ON Semiconductor | TO-220-3 | IGBT 15A 600V TO-220-3 | IGBT 类型：NPT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：600V Vge, ... | ||
| NGTB15N60EG | ON Semiconductor | TO-220-3 | IGBT 15A 600V TO-220-3 | IGBT 类型：NPT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：600V Vge, ... | ||
| NGTB15N120LWG | ON Semiconductor | TO-247-3 | 20+960 | IGBT 1200V 15A FS1 TO-247-3 | IGBT 类型：沟道和场截止 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：1200V V... | |
| NGTB15N120IHLWG | ON Semiconductor | TO-247-3 | 200+37290 | IGBT 1200V 15A FS1 TO-247-3 | IGBT 类型：- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：1200V Vge, I... | |
| NGP15N41CLG | ON Semiconductor | TO-220-3 | IGBT N-CHAN 15A 410V TO220AB | IGBT 类型：- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：440V Vge, Ic... | ||
| NGP15N41CL | ON Semiconductor | TO-220-3 | IGBT N-CHAN 15A 410V TO220AB | IGBT 类型：- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：440V Vge, Ic... | ||
| NGD8205NT4G | ON Semiconductor | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | IGBT IGNIT N-CHAN 20A 350V DPAK | IGBT 类型：- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：390V Vge, Ic... | ||
| NGD8205NT4 | ON Semiconductor | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | IGBT IGNIT N-CHAN 20A 350V DPAK | IGBT 类型：- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：390V Vge, Ic... | ||
| NGD8205ANT4G | ON Semiconductor | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | 2490+2500 | IGBT 390V 20A 125W DPAK-3 | IGBT 类型：- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：390V Vge, Ic... | |
| NGD8201NT4G | ON Semiconductor | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | IGBT IGNIT N-CHAN 20A 400V DPAK | IGBT 类型：- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：440V Vge, Ic... | ||
| NGD8201NT4 | ON Semiconductor | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | IGBT IGNIT N-CHAN 20A 400V DPAK | IGBT 类型：- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：440V Vge, Ic... | ||
| NGD8201ANT4G | ON Semiconductor | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | IGBT 440V 20A 125W DPAK | IGBT 类型：- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：440V Vge, Ic... | ||
| NGD18N40CLBT4G | ON Semiconductor | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | IGBT N-CHAN 18A 400V ESD DPAK | IGBT 类型：- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：430V Vge, Ic... | ||
| NGD18N40CLBT4 | ON Semiconductor | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | IGBT N-CHAN 18A 400V ESD DPAK | IGBT 类型：- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：430V Vge, Ic... |
