收藏本站

首页 > 分离式半导体产品 > IGBT - 单路 > HGT1S7N60C3DS
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

HGT1S7N60C3DS

Fairchild Semiconductor TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
询价QQ:
简述:IGBT UFS N-CH 600V 14A TO-263AB
参考包装数量:50
参考包装形式:管件

与HGT1S7N60C3DS相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
HGT1S7N60C3DS9A Fairchild Semiconductor TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB IGBT UFS N-CH 600V 14A TO-263AB IGBT 类型:- 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vge, Ic...
HGTD1N120BNS9A Fairchild Semiconductor TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 IGBT NPT N-CH 1200V 5.3A TO252AA IGBT 类型:NPT 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1200V Vge,...
HGTD3N60C3S9A Fairchild Semiconductor TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 IGBT UFS N-CH 600V 6A TO-252AA IGBT 类型:- 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vge, Ic...
HGT1S7N60A4DS Fairchild Semiconductor TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB IGBT SMPS N-CHAN 600V TO-263AB IGBT 类型:- 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vge, Ic...
HGT1S3N60A4DS9A Fairchild Semiconductor TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB IGBT SMPS N-CH 600V D2PAK IGBT 类型:- 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vge, Ic...
HGT1S2N120CN Fairchild Semiconductor TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA IGBT NPT N-CH 1200V 13A I2PAK IGBT 类型:NPT 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1200V Vge,...

HGT1S7N60C3DS参数资料

PDF资料下载:

IGBT 类型:-
电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V
Vge, Ic时的最大Vce(开):2V @ 15V,7A
电流 - 集电极 (Ic)(最大):14A
功率 - 最大:60W
输入类型:标准
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别