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首页 > 元器件分类 > 分离式半导体产品 > IGBT - 单路 S开头
元件索引: A B C F G H I M N R S T
型号 品牌 封装 数量 描述 参数 PDF资料
SGB02N120 Infineon Technologies TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB IGBT NPT 1200V 6.2A 62W TO263-3 IGBT 类型：NPT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：1200V Vge,... 点击下载
SGB02N60 Infineon Technologies TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB IGBT NPT 600V 6A 30W TO263-3 IGBT 类型：NPT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：600V Vge, ... 点击下载
SGB06N60 Infineon Technologies TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB IGBT NPT 600V 12A 68W TO263-3 IGBT 类型：NPT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：600V Vge, ... 点击下载
SGB07N120 Infineon Technologies TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB IGBT 1200V 8A 125W TO263-3-2 IGBT 类型：NPT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：1200V Vge,... 点击下载
SGB10N60A Infineon Technologies TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB IGBT NPT 600V 20A 92W TO263-3 IGBT 类型：NPT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：600V Vge, ... 点击下载
SGB15N120 Infineon Technologies TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB IGBT NPT 1200V 30A 198W TO263-3 IGBT 类型：NPT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：1200V Vge,... 点击下载
SGB15N60 Infineon Technologies TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB IGBT NPT 600V 31A 139W TO263-3 IGBT 类型：NPT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：600V Vge, ... 点击下载
SGB15N60HS Infineon Technologies TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB IGBT NPT 600V 27A 138W TO263-3 IGBT 类型：NPT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：600V Vge, ... 点击下载
SGB20N60 Infineon Technologies TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB IGBT NPT 600V 40A 179W TO263-3 IGBT 类型：NPT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：600V Vge, ... 点击下载
SGB30N60 Infineon Technologies TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB IGBT NPT 600V 41A 250W TO263-3 IGBT 类型：NPT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：600V Vge, ... 点击下载
SGB8206ANSL3G ON Semiconductor TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB IGBT N-CH 20A 350V D2PAK IGBT 类型：- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：390V Vge, Ic...
SGB8206ANT4G ON Semiconductor TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB IGBT N-CH 20A 350V D2PAK IGBT 类型：- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：390V Vge, Ic...
SGB8206ANTF4G ON Semiconductor TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB IGBT N-CH 20A 350V D2PAK IGBT 类型：- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：390V Vge, Ic...
SGD02N120 Infineon Technologies TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 IGBT NPT 1200V 6.2A 62W TO252-3 IGBT 类型：NPT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：1200V Vge,... 点击下载
SGD02N60 Infineon Technologies TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 IGBT NPT 600V 6.0A 30W TO252-3 IGBT 类型：NPT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：600V Vge, ... 点击下载
SGD04N60 Infineon Technologies TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 IGBT NPT 600V 9.4A 50W TO252-3 IGBT 类型：NPT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：600V Vge, ... 点击下载
SGD06N60 Infineon Technologies TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 IGBT NPT 600V 12A 68W TO252-3 IGBT 类型：NPT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：600V Vge, ... 点击下载
SGF23N60UFDM1TU Fairchild Semiconductor SC-94 IGBT ULTRA FAST 600V 12A TO-3PF IGBT 类型：- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：600V Vge, Ic... 点击下载
SGF23N60UFDTU Fairchild Semiconductor SC-94 IGBT ULTRA FAST 600V 12A TO-3PF IGBT 类型：- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：600V Vge, Ic... 点击下载
SGF23N60UFTU Fairchild Semiconductor SC-94 0+720 IGBT ULTRA FAST 600V 12A TO-3PF IGBT 类型：- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：600V Vge, Ic... 点击下载

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