| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 参数 | PDF资料 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| SGB02N120 | Infineon Technologies | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | IGBT NPT 1200V 6.2A 62W TO263-3 | IGBT 类型：NPT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：1200V Vge,... | ||
| SGB02N60 | Infineon Technologies | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | IGBT NPT 600V 6A 30W TO263-3 | IGBT 类型：NPT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：600V Vge, ... | ||
| SGB06N60 | Infineon Technologies | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | IGBT NPT 600V 12A 68W TO263-3 | IGBT 类型：NPT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：600V Vge, ... | ||
| SGB07N120 | Infineon Technologies | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | IGBT 1200V 8A 125W TO263-3-2 | IGBT 类型：NPT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：1200V Vge,... | ||
| SGB10N60A | Infineon Technologies | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | IGBT NPT 600V 20A 92W TO263-3 | IGBT 类型：NPT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：600V Vge, ... | ||
| SGB15N120 | Infineon Technologies | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | IGBT NPT 1200V 30A 198W TO263-3 | IGBT 类型：NPT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：1200V Vge,... | ||
| SGB15N60 | Infineon Technologies | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | IGBT NPT 600V 31A 139W TO263-3 | IGBT 类型：NPT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：600V Vge, ... | ||
| SGB15N60HS | Infineon Technologies | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | IGBT NPT 600V 27A 138W TO263-3 | IGBT 类型：NPT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：600V Vge, ... | ||
| SGB20N60 | Infineon Technologies | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | IGBT NPT 600V 40A 179W TO263-3 | IGBT 类型：NPT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：600V Vge, ... | ||
| SGB30N60 | Infineon Technologies | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | IGBT NPT 600V 41A 250W TO263-3 | IGBT 类型：NPT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：600V Vge, ... | ||
| SGB8206ANSL3G | ON Semiconductor | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | IGBT N-CH 20A 350V D2PAK | IGBT 类型：- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：390V Vge, Ic... | ||
| SGB8206ANT4G | ON Semiconductor | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | IGBT N-CH 20A 350V D2PAK | IGBT 类型：- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：390V Vge, Ic... | ||
| SGB8206ANTF4G | ON Semiconductor | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | IGBT N-CH 20A 350V D2PAK | IGBT 类型：- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：390V Vge, Ic... | ||
| SGD02N120 | Infineon Technologies | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | IGBT NPT 1200V 6.2A 62W TO252-3 | IGBT 类型：NPT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：1200V Vge,... | ||
| SGD02N60 | Infineon Technologies | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | IGBT NPT 600V 6.0A 30W TO252-3 | IGBT 类型：NPT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：600V Vge, ... | ||
| SGD04N60 | Infineon Technologies | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | IGBT NPT 600V 9.4A 50W TO252-3 | IGBT 类型：NPT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：600V Vge, ... | ||
| SGD06N60 | Infineon Technologies | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | IGBT NPT 600V 12A 68W TO252-3 | IGBT 类型：NPT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：600V Vge, ... | ||
| SGF23N60UFDM1TU | Fairchild Semiconductor | SC-94 | IGBT ULTRA FAST 600V 12A TO-3PF | IGBT 类型：- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：600V Vge, Ic... | ||
| SGF23N60UFDTU | Fairchild Semiconductor | SC-94 | IGBT ULTRA FAST 600V 12A TO-3PF | IGBT 类型：- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：600V Vge, Ic... | ||
| SGF23N60UFTU | Fairchild Semiconductor | SC-94 | 0+720 | IGBT ULTRA FAST 600V 12A TO-3PF | IGBT 类型：- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：600V Vge, Ic... |
