| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 参数 | PDF资料 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| SGH40N60UFTU | Fairchild Semiconductor | TO-3P-3，SC-65-3 | 0+450 | IGBT HI PERFORM 600V 20A TO-3P | IGBT 类型：- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：600V Vge, Ic... | |
| SGH80N60UFDTU | Fairchild Semiconductor | TO-3P-3，SC-65-3 | IGBT HI PERFORM 100V 28A TO-3P | IGBT 类型：- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：600V Vge, Ic... | ||
| SGH80N60UFTU | Fairchild Semiconductor | TO-3P-3，SC-65-3 | IGBT HI PERFORM 00V 40A TO-3P | IGBT 类型：- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：600V Vge, Ic... | ||
| SGI02N120 | Infineon Technologies | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA | IGBT NPT 1200V 6.2A 62W TO262-3 | IGBT 类型：NPT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：1200V Vge,... | ||
| SGR15N40LTF | Fairchild Semiconductor | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | IGBT TRENCH 400V 130A DPAK | IGBT 类型：沟道 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：400V Vge, I... | ||
| SGR15N40LTM | Fairchild Semiconductor | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | IGBT TRENCH 400V 130A DPAK | IGBT 类型：沟道 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：400V Vge, I... | ||
| SGR20N40LTF | Fairchild Semiconductor | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | IGBT TRENCH 400V 150A DPAK | IGBT 类型：沟道 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：400V Vge, I... | ||
| SGR20N40LTM | Fairchild Semiconductor | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | IGBT TRENCH 400V 150A DPAK | IGBT 类型：沟道 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：400V Vge, I... | ||
| SGR2N60UFDTF | Fairchild Semiconductor | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | IGBT W/DIODE 600V 1.2A DPAK | IGBT 类型：- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：600V Vge, Ic... | ||
| SGR2N60UFDTM | Fairchild Semiconductor | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | IGBT W/DIODE 600V 1.2A DPAK | IGBT 类型：- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：600V Vge, Ic... | ||
| SGS6N60UFDTU | Fairchild Semiconductor | TO-220-3 整包 | IGBT ULTRA FAST 600V 3A TO-220F | IGBT 类型：- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：600V Vge, Ic... | ||
| SGS6N60UFTU | Fairchild Semiconductor | TO-220-3 整包 | IGBT ULTRA FAST 600V 3A TO-220F | IGBT 类型：- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：600V Vge, Ic... | ||
| SGW10N60RUFDTM | Fairchild Semiconductor | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | IGBT W/DIODE 600V 10A D2PAK | IGBT 类型：- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：600V Vge, Ic... | ||
| SGW13N60UFDTM | Fairchild Semiconductor | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | IGBT W/DIODE 600V 6.5A D2PAK | IGBT 类型：- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：600V Vge, Ic... | ||
| SGW15N120 | Infineon Technologies | TO-247-3 | IGBT NPT 1200V 30A 198W TO247-3 | IGBT 类型：NPT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：1200V Vge,... | ||
| SGW15N60 | Infineon Technologies | TO-247-3 | IGBT NPT 600V 31A 139W TO247-3 | IGBT 类型：NPT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：600V Vge, ... | ||
| SGW20N60 | Infineon Technologies | TO-247-3 | IGBT NPT 600V 40A 179W TO247-3 | IGBT 类型：NPT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：600V Vge, ... | ||
| SGW20N60HS | Infineon Technologies | TO-247-3 | IGBT NPT 600V 36A 178W TO247-3 | IGBT 类型：NPT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：600V Vge, ... | ||
| SGW23N60UFDTM | Fairchild Semiconductor | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | IGBT W/DIODE 600V 12A D2PAK | IGBT 类型：- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：600V Vge, Ic... | ||
| SGW25N120 | Infineon Technologies | TO-247-3 | IGBT NPT 1200V 46A 313W TO247-3 | IGBT 类型：NPT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：1200V Vge,... |
