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首页 > 元器件分类 > 分离式半导体产品 > IGBT - 单路 S开头
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型号 品牌 封装 数量 描述 参数 PDF资料
SGP15N120 Infineon Technologies TO-220-3 IGBT NPT 1200V 30A 198W TO220-3 IGBT 类型:NPT 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1200V Vge,...
SGP15N60 Infineon Technologies TO-220-3 IGBT NPT 600V 31A 139W TO220-3 IGBT 类型:NPT 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vge, ...
SGP15N60RUFTU Fairchild Semiconductor TO-220-3 IGBT SHORT CIRC 600V 15A TO-220 IGBT 类型:- 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vge, Ic...
SGP20N60 Infineon Technologies TO-220-3 IGBT NPT 600V 40A 179W TO220-3 IGBT 类型:NPT 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vge, ...
SGP20N60HS Infineon Technologies TO-220-3 IGBT 600V 20A 178W TO220-3 IGBT 类型:NPT 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vge, ...
SGP23N60UFDTU Fairchild Semiconductor TO-220-3 IGBT W/DIODE 600V TO-220 IGBT 类型:- 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vge, Ic...
SGP23N60UFTU Fairchild Semiconductor TO-220-3 949 IGBT W/DIODE 600V TO-220-3 IGBT 类型:- 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vge, Ic...
SGP30N60 Infineon Technologies TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB IGBT 600V 30A TO-263 IGBT 类型:NPT 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vge, ...
SGP30N60HS Infineon Technologies TO-220-3 IGBT NPT 600V 41A 250W TO220-3 IGBT 类型:NPT 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vge, ...
SGP40N60UFTU Fairchild Semiconductor TO-220-3 IGBT HI PERFORM 600V 20A TO-220 IGBT 类型:- 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vge, Ic...
SGP5N60RUFDTU Fairchild Semiconductor TO-220-3 IGBT W/DIODE 600V 5A IGBT 类型:- 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vge, Ic...
SGP6N60UFDTU Fairchild Semiconductor TO-220-3 IGBT HI PERFORM 600V 3A TO-220 IGBT 类型:- 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vge, Ic...
SGU20N40LTU Fairchild Semiconductor TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA IGBT TRENCH 400V 150V IPAK IGBT 类型:沟道 电压 - 集电极发射极击穿(最大):400V Vge, I...
SGU15N40LTU Fairchild Semiconductor TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA IGBT TRENCH 400V 130A IPAK IGBT 类型:沟道 电压 - 集电极发射极击穿(最大):400V Vge, I...
SGR6N60UFTM Fairchild Semiconductor TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 IGBT ULTRA FAST 600V 3A DPAK IGBT 类型:- 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vge, Ic...
SGR6N60UFTF Fairchild Semiconductor TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 IGBT ULTRA FAST 600V 3A DPAK IGBT 类型:- 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vge, Ic...
SGR2N60UFDTM Fairchild Semiconductor TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 IGBT W/DIODE 600V 1.2A DPAK IGBT 类型:- 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vge, Ic...
SGR2N60UFDTF Fairchild Semiconductor TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 IGBT W/DIODE 600V 1.2A DPAK IGBT 类型:- 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vge, Ic...
SGR20N40LTM Fairchild Semiconductor TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 IGBT TRENCH 400V 150A DPAK IGBT 类型:沟道 电压 - 集电极发射极击穿(最大):400V Vge, I...
SGR20N40LTF Fairchild Semiconductor TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 IGBT TRENCH 400V 150A DPAK IGBT 类型:沟道 电压 - 集电极发射极击穿(最大):400V Vge, I...

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