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首页 > 分离式半导体产品 > IGBT - 单路 > GT10G131(TE12L,Q)
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GT10G131(TE12L,Q)

Toshiba 8-SOIC(0.173",4.40mm 宽)
询价QQ:
简述:IGBT 400V 200A 8-SOIC
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

与GT10G131(TE12L,Q)相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
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GT10G131(TE12L,Q)参数资料

PDF资料下载:

IGBT 类型:-
电压 - 集电极发射极击穿(最大):400V
Vge, Ic时的最大Vce(开):2.3V @ 4V @ 200A
电流 - 集电极 (Ic)(最大):-
功率 - 最大:1W
输入类型:标准
安装类型:表面贴装

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