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首页 > 分离式半导体产品 > IGBT - 单路 > GT10Q101(Q)
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GT10Q101(Q)

Toshiba TO-3P-3,SC-65-3
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简述:IGBT 1200V 10A TO-3PN
参考包装数量:50
参考包装形式:管件

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GT10Q101(Q)参数资料

PDF资料下载:

IGBT 类型:-
电压 - 集电极发射极击穿(最大):1200V
Vge, Ic时的最大Vce(开):2.7V @ 15V,10A
电流 - 集电极 (Ic)(最大):10A
功率 - 最大:140W
输入类型:标准
安装类型:通孔

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