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首页 > 分离式半导体产品 > IGBT - 单路 > GT20J321(Q)
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GT20J321(Q)

Toshiba TO-220-3 整包
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简述:IGBT DUAL 600V 20A TO220NIS
参考包装数量:50
参考包装形式:管件

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GT20J321(Q)参数资料

PDF资料下载:

IGBT 类型:-
电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V
Vge, Ic时的最大Vce(开):2.45V @ 15V,20A
电流 - 集电极 (Ic)(最大):20A
功率 - 最大:45W
输入类型:标准
安装类型:通孔

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