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首页 > 元器件分类 > 分离式半导体产品 > IGBT - 单路 F开头
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型号 品牌 封装 数量 描述 参数 PDF资料
FGA50N100BNTD2 Fairchild Semiconductor TO-3P-3,SC-65-3 332 IGBT NPT 1000V 50A TO-3P IGBT 类型:NPT 和沟道 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1000V ...
FGA50N100BNTDTU Fairchild Semiconductor TO-3P-3,SC-65-3 0+1350 IGBT NPT 50A 1000V TO-3P IGBT 类型:NPT 和沟道 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1000V ...
FGA50N100BNTTU Fairchild Semiconductor TO-3P-3,SC-65-3 IGBT NPT 1000V 50A TO-3P IGBT 类型:NPT 和沟道 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1000V ...
FGA50N60LS Fairchild Semiconductor TO-3P-3,SC-65-3 IGBT 600V 50A TO-3P IGBT 类型:- 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vge, Ic...
FGA60N60UFDTU Fairchild Semiconductor TO-3P-3,SC-65-3 679+86400 IGBT 600V 120A TO-3P IGBT 类型:场截止 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vge, ...
FGA60N65SMD Fairchild Semiconductor TO-3P-3,SC-65-3 362+1800 IGBT 650V 120A TO-3P IGBT 类型:场截止 电压 - 集电极发射极击穿(最大):650V Vge, ...
FGA70N30TDTU Fairchild Semiconductor TO-3P-3,SC-65-3 IGBT PDP 70A 300V TO-3P IGBT 类型:沟道 电压 - 集电极发射极击穿(最大):300V Vge, I...
FGA70N30TTU Fairchild Semiconductor TO-3P-3,SC-65-3 IGBT PDP 70A 300V TO-3P IGBT 类型:沟道 电压 - 集电极发射极击穿(最大):300V Vge, I...
FGA70N33BTDTU Fairchild Semiconductor TO-3P-3,SC-65-3 IGBT PDP 70A 330V TO-3P IGBT 类型:沟道 电压 - 集电极发射极击穿(最大):330V Vge, I...
FGA90N30DTU Fairchild Semiconductor TO-3P-3,SC-65-3 28 IGBT PDP 300V 10A TO-3P IGBT 类型:- 电压 - 集电极发射极击穿(最大):300V Vge, Ic...
FGA90N30TU Fairchild Semiconductor TO-3P-3,SC-65-3 427 IGBT PDP 300V LOW SW-LOSS TO-3P IGBT 类型:- 电压 - 集电极发射极击穿(最大):300V Vge, Ic...
FGA90N33ATDTU Fairchild Semiconductor TO-3P-3,SC-65-3 IGBT PDP TRENCH 330V 90A TO-3P IGBT 类型:沟道 电压 - 集电极发射极击穿(最大):330V Vge, I...
FGA90N33ATTU Fairchild Semiconductor TO-3P-3,SC-65-3 IGBT PDP TRENCH 330V 90A TO-3P IGBT 类型:沟道 电压 - 集电极发射极击穿(最大):330V Vge, I...
FGAF40N60UFDTU Fairchild Semiconductor SC-94 0+3600 IGBT FAST W/DIODE 600V TO-3PF IGBT 类型:- 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vge, Ic...
FGAF40N60UFTU Fairchild Semiconductor SC-94 360 IGBT ULTRA FAST 600V TO-3PF IGBT 类型:- 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vge, Ic...
FGB20N60SF Fairchild Semiconductor TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB 0+2400 IGBT 600V 40A 208W D2PAK IGBT 类型:场截止 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vge, ...
FGB20N60SFD Fairchild Semiconductor TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB IGBT N-CH 20A 600V D2PAK IGBT 类型:场截止 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vge, ...
FGB20N6S2 Fairchild Semiconductor TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB IGBT N-CH SMPS 600V 28A TO263AB IGBT 类型:- 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vge, Ic...
FGB20N6S2D Fairchild Semiconductor TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB IGBT N-CH SMPS 600V 28A TO263AB IGBT 类型:- 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vge, Ic...
FGB3040CS Fairchild Semiconductor TO-263-7,D²Pak(6 引线+接片),TO-263CB IGBT ECOSPARK N-CH 400V TO263-6 IGBT 类型:- 电压 - 集电极发射极击穿(最大):430V Vge, Ic...

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