收藏本站

首页 > 分离式半导体产品 > IGBT - 单路 > FGA90N30DTU
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

FGA90N30DTU

Fairchild Semiconductor TO-3P-3,SC-65-3 28
询价QQ:
简述:IGBT PDP 300V 10A TO-3P
参考包装数量:30
参考包装形式:管件

与FGA90N30DTU相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
FGA90N30TU Fairchild Semiconductor TO-3P-3,SC-65-3 427 IGBT PDP 300V LOW SW-LOSS TO-3P IGBT 类型:- 电压 - 集电极发射极击穿(最大):300V Vge, Ic...
FGA90N33ATDTU Fairchild Semiconductor TO-3P-3,SC-65-3 IGBT PDP TRENCH 330V 90A TO-3P IGBT 类型:沟道 电压 - 集电极发射极击穿(最大):330V Vge, I...
FGA90N33ATTU Fairchild Semiconductor TO-3P-3,SC-65-3 IGBT PDP TRENCH 330V 90A TO-3P IGBT 类型:沟道 电压 - 集电极发射极击穿(最大):330V Vge, I...
FGA70N33BTDTU Fairchild Semiconductor TO-3P-3,SC-65-3 IGBT PDP 70A 330V TO-3P IGBT 类型:沟道 电压 - 集电极发射极击穿(最大):330V Vge, I...
FGA70N30TTU Fairchild Semiconductor TO-3P-3,SC-65-3 IGBT PDP 70A 300V TO-3P IGBT 类型:沟道 电压 - 集电极发射极击穿(最大):300V Vge, I...
FGA70N30TDTU Fairchild Semiconductor TO-3P-3,SC-65-3 IGBT PDP 70A 300V TO-3P IGBT 类型:沟道 电压 - 集电极发射极击穿(最大):300V Vge, I...

FGA90N30DTU参数资料

PDF资料下载:

IGBT 类型:-
电压 - 集电极发射极击穿(最大):300V
Vge, Ic时的最大Vce(开):1.4V @ 15V,20A
电流 - 集电极 (Ic)(最大):90A
功率 - 最大:219W
输入类型:标准
安装类型:通孔

最近更新

型号类别