| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
|---|---|---|---|---|---|
FGA70N30TTU |
Fairchild Semiconductor | TO-3P-3，SC-65-3 | 询价QQ： |
||
| 简述：IGBT PDP 70A 300V TO-3P 参考包装数量：30 参考包装形式：管件 |
|||||
| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
|---|---|---|---|---|---|
| FGA70N33BTDTU | Fairchild Semiconductor | TO-3P-3，SC-65-3 | IGBT PDP 70A 330V TO-3P | IGBT 类型：沟道 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：330V Vge, I... | |
| FGA90N30DTU | Fairchild Semiconductor | TO-3P-3，SC-65-3 | 28 | IGBT PDP 300V 10A TO-3P | IGBT 类型：- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：300V Vge, Ic... |
| FGA90N30TU | Fairchild Semiconductor | TO-3P-3，SC-65-3 | 427 | IGBT PDP 300V LOW SW-LOSS TO-3P | IGBT 类型：- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：300V Vge, Ic... |
| FGA70N30TDTU | Fairchild Semiconductor | TO-3P-3，SC-65-3 | IGBT PDP 70A 300V TO-3P | IGBT 类型：沟道 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：300V Vge, I... | |
| FGA60N65SMD | Fairchild Semiconductor | TO-3P-3，SC-65-3 | 362+1800 | IGBT 650V 120A TO-3P | IGBT 类型：场截止 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：650V Vge, ... |
| FGA60N60UFDTU | Fairchild Semiconductor | TO-3P-3，SC-65-3 | 679+86400 | IGBT 600V 120A TO-3P | IGBT 类型：场截止 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：600V Vge, ... |
