型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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FGA50N100BNTTU |
Fairchild Semiconductor | TO-3P-3,SC-65-3 | 询价QQ: |
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简述:IGBT NPT 1000V 50A TO-3P 参考包装数量:30 参考包装形式:管件 |
型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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FGA50N60LS | Fairchild Semiconductor | TO-3P-3,SC-65-3 | IGBT 600V 50A TO-3P | IGBT 类型:- 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vge, Ic... | |
FGA60N60UFDTU | Fairchild Semiconductor | TO-3P-3,SC-65-3 | 679+86400 | IGBT 600V 120A TO-3P | IGBT 类型:场截止 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vge, ... |
FGA60N65SMD | Fairchild Semiconductor | TO-3P-3,SC-65-3 | 362+1800 | IGBT 650V 120A TO-3P | IGBT 类型:场截止 电压 - 集电极发射极击穿(最大):650V Vge, ... |
FGA50N100BNTDTU | Fairchild Semiconductor | TO-3P-3,SC-65-3 | 0+1350 | IGBT NPT 50A 1000V TO-3P | IGBT 类型:NPT 和沟道 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1000V ... |
FGA50N100BNTD2 | Fairchild Semiconductor | TO-3P-3,SC-65-3 | 332 | IGBT NPT 1000V 50A TO-3P | IGBT 类型:NPT 和沟道 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1000V ... |
FGA40N65SMD | Fairchild Semiconductor | TO-3P-3,SC-65-3 | 379 | IGBT 650V 80A TO-3P | IGBT 类型:场截止 电压 - 集电极发射极击穿(最大):650V Vge, ... |