型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
---|---|---|---|---|---|
FGA25N120ANTU |
Fairchild Semiconductor | TO-3P-3,SC-65-3 | 询价QQ: |
||
简述:IGBT NPT TRENCH 1200V 25A TO-3P 参考包装数量:450 参考包装形式:管件 |
型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
---|---|---|---|---|---|
FGA25N120FTD | Fairchild Semiconductor | TO-3P-3,SC-65-3 | 726+450 | IGBT TRENCH 1200V 50A TO-3P | IGBT 类型:沟道和场截止 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1200V V... |
FGA30N120FTDTU | Fairchild Semiconductor | TO-3P-3,SC-65-3 | 617 | IGBT 30A 1200V TRENCH TO-3P | IGBT 类型:沟道和场截止 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1200V V... |
FGA30N60LSDTU | Fairchild Semiconductor | TO-3P-3,SC-65-3 | 450+900 | IGBT 600V 60A TO-3PN | IGBT 类型:沟道和场截止 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vg... |
FGA25N120ANTDTU_F109 | Fairchild Semiconductor | TO-3P-3,SC-65-3 | 0+4950 | IGBT NPT 25A 1200V TO-3P | IGBT 类型:NPT 和沟道 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1200V ... |
FGA25N120ANTDTU | Fairchild Semiconductor | TO-3P-3,SC-65-3 | 5278 | IGBT NPT TRENCH 1200V 50A TO3P | IGBT 类型:NPT 和沟道 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1200V ... |
FGA25N120ANDTU | Fairchild Semiconductor | TO-3P-3,SC-65-3 | IGBT NPT W/DIODE 1200V 25A TO-3P | IGBT 类型:NPT 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1200V Vge,... |