收藏本站

首页 > 分离式半导体产品 > IGBT - 单路 > FGA15N120FTDTU
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

FGA15N120FTDTU

Fairchild Semiconductor TO-3P-3,SC-65-3 260+450
询价QQ:
简述:IGBT 1200V 15A TO-3PN
参考包装数量:30
参考包装形式:管件

与FGA15N120FTDTU相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
FGA180N30DTU Fairchild Semiconductor TO-3P-3,SC-65-3 IGBT PDP 300V 10A TO-3P IGBT 类型:- 电压 - 集电极发射极击穿(最大):300V Vge, Ic...
FGA180N33ATDTU Fairchild Semiconductor TO-3P-3,SC-65-3 411 IGBT PDP TRENCH 330V 180A TO-3P IGBT 类型:沟道 电压 - 集电极发射极击穿(最大):330V Vge, I...
FGA180N33ATTU Fairchild Semiconductor TO-3P-3,SC-65-3 IGBT PDP TRENCH 330V 180A TO-3P IGBT 类型:沟道 电压 - 集电极发射极击穿(最大):330V Vge, I...
FGA15N120ANTDTU_F109 Fairchild Semiconductor TO-3P-3,SC-65-3 450 IGBT NPT 15A 1200V TO-3P IGBT 类型:NPT 和沟道 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1200V ...
FGA15N120ANTDTU Fairchild Semiconductor TO-3P-3,SC-65-3 IGBT NPT 1200V 15A TO-3P IGBT 类型:NPT 和沟道 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1200V ...
FGA15N120ANDTU Fairchild Semiconductor TO-3P-3,SC-65-3 IGBT NPT TRENCH 1200V 15A TO-3P IGBT 类型:NPT 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1200V Vge,...

FGA15N120FTDTU参数资料

PDF资料下载:

IGBT 类型:沟道和场截止
电压 - 集电极发射极击穿(最大):1200V
Vge, Ic时的最大Vce(开):2V @ 15V,15A
电流 - 集电极 (Ic)(最大):30A
功率 - 最大:220W
输入类型:标准
安装类型:通孔

最近更新

型号类别