| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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FGA20N120FTDTU |
Fairchild Semiconductor | TO-3P-3，SC-65-3 | 450+21150 | 询价QQ： |
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| 简述：IGBT TRENCH 20A 1200V TO-3PN 参考包装数量：30 参考包装形式：管件 |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| FGA20S120M | Fairchild Semiconductor | TO-3P-3，SC-65-3 | 639+330300 | IGBT 1200V 40A 348W TO3PN | IGBT 类型：沟道和场截止 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：1200V V... |
| FGA25N120ANDTU | Fairchild Semiconductor | TO-3P-3，SC-65-3 | IGBT NPT W/DIODE 1200V 25A TO-3P | IGBT 类型：NPT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：1200V Vge,... | |
| FGA25N120ANTDTU | Fairchild Semiconductor | TO-3P-3，SC-65-3 | 5278 | IGBT NPT TRENCH 1200V 50A TO3P | IGBT 类型：NPT 和沟道 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：1200V ... |
| FGA180N33ATTU | Fairchild Semiconductor | TO-3P-3，SC-65-3 | IGBT PDP TRENCH 330V 180A TO-3P | IGBT 类型：沟道 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：330V Vge, I... | |
| FGA180N33ATDTU | Fairchild Semiconductor | TO-3P-3，SC-65-3 | 411 | IGBT PDP TRENCH 330V 180A TO-3P | IGBT 类型：沟道 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：330V Vge, I... |
| FGA180N30DTU | Fairchild Semiconductor | TO-3P-3，SC-65-3 | IGBT PDP 300V 10A TO-3P | IGBT 类型：- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：300V Vge, Ic... |
