| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 参数 | PDF资料 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IPD60R600CP | Infineon Technologies | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | 5000 | MOSFET N-CH 600V 6.1A TO-252 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| IPD60R600E6 | Infineon Technologies | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | 2500 | MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| IPD60R750E6 | Infineon Technologies | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | 7500 | MOSFET N-CH 600V 5.7A TO252 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| IPD60R950C6 | Infineon Technologies | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | 37500 | MOSFET N-CH 600V 4.4A TO252 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| IPD640N06LG | Infineon Technologies | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | MOSFET N-CH 60V 18A TO-252 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | ||
| IPD64CN10NG | Infineon Technologies | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | MOSFET N-CH 100V 17A TO252-3 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | ||
| IPD65R380C6 | Infineon Technologies | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | 4088 | MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252-3 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| IPD65R380E6 | Infineon Technologies | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | 2500 | MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| IPD65R420CFD | Infineon Technologies | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | 2500 | MOSFET N-CH 650V 8.7A TO252 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| IPD65R600C6 | Infineon Technologies | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | 2500 | MOSFET N-CH 650V 7.3A TO252 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| IPD65R600E6 | Infineon Technologies | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | 2500 | MOSFET N-CH 650V 7.3A TO252-3 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| IPD65R660CFD | Infineon Technologies | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | MOSFET N-CH 700V 6.0A TO252 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | ||
| IPD70N03S4L-04 | Infineon Technologies | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | 12500 | MOSFET N-CH 30V 70A TO252-3 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| IPD70N04S3-07 | Infineon Technologies | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | 37500 | MOSFET N-CH 40V 82A TO252-3 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| IPD70N10S3-12 | Infineon Technologies | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | 20000 | MOSFET N-CH 100V 70A TO252-3 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| IPD70N10S3L-12 | Infineon Technologies | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | 10000 | MOSFET N-CH 100V 70A TO252-3 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| IPD75N04S4-06 | Infineon Technologies | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | MOSFET N-CH 40V 75A TO252-3-313 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | ||
| IPD78CN10NG | Infineon Technologies | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | MOSFET N-CH 100V 13A TO252-3 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | ||
| IPD800N06NG | Infineon Technologies | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | MOSFET N-CH 60V 16A TO-252 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | ||
| IPD80N04S3-06 | Infineon Technologies | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | 5000 | MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
