| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 参数 | PDF资料 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| CC1202 | Microsemi Power Products Group | MOSFET N-CHANEL 800V 13A TO-247 | ... | |||
| CMF10120D | Cree Inc | TO-247-3 | SIC MOSFET N-CH 1200V 24A TO247 | FET 类型：SiCFET N 通道，碳化硅 FET 功能：标准 漏源极电压 (... | ||
| CMF20120D | Cree Inc | TO-247-3 | 430 | SIC MOSFET N-CH 1200V TO-247-3 | FET 类型：SiCFET N 通道，碳化硅 FET 功能：标准 漏源极电压 (... | |
| CPC3730CTR | IXYS Integrated Circuits Division | MOSFET N-CH DEPLETION 350V SOT89 | ... | |||
| CPC5602C | IXYS Integrated Circuits Division | TO-261-4，TO-261AA | MOSFET N-CH 350V 5MA SOT-223 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：耗尽模式 漏源极... | ||
| CPC5602CTR | IXYS Integrated Circuits Division | TO-261-4，TO-261AA | 2000 | MOSFET N-CH 350V 5MA SOT-223 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：耗尽模式 漏源极... | |
| CPC5603C | IXYS Integrated Circuits Division | TO-261-4，TO-261AA | MOSFET N-CH 415V 5MA SOT-223 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：耗尽模式 漏源极... | ||
| CPC5603CTR | IXYS Integrated Circuits Division | TO-261-4，TO-261AA | 2528 | MOSFET N-CH 415V 5MA SOT-223 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：耗尽模式 漏源极... | |
| CPH6311-TL-E | SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 | MOSFET P-CH 20V 5A CPH6 | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | ||
| CSD16301Q2 | Texas Instruments | 6-SMD，扁平引线 | 15000+612000 | MOSFET N-CH 25V 6-SON | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| CSD16325Q5 | Texas Instruments | 8-TDFN 裸露焊盘 | 3044 | MOSFET N-CH 25V 5X6 100A 8SON | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| CSD16325Q5C | Texas Instruments | 8-TDFN 裸露焊盘 | 7500 | MOSFET N-CH 25V 100A 8SON | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| CSD16327Q3 | Texas Instruments | 8-TDFN 裸露焊盘 | 4685 | MOSFET N-CH 25V 60A 8SON | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| CSD16340Q3 | Texas Instruments | 8-TDFN 裸露焊盘 | MOSFET N-CH 25V 60A 8SON | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | ||
| CSD16342Q5A | Texas Instruments | 8-PowerTDFN | 5000+122500 | MOSFET N-CH 25V 100A 8SON | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| CSD16401Q5 | Texas Instruments | 8-TDFN 裸露焊盘 | 12500 | MOSFET N-CH 25V 100A 8-SON | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| CSD23201W10 | Texas Instruments | 4-UFBGA，DSBGA | MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | ||
| CSD25201W15 | Texas Instruments | 9-UFBGA，DSBGA | 0+42000 | MOSFET P-CH 20V 4A 9DSBGA | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| CSD25211W1015 | Texas Instruments | 6-UFBGA，DSBGA | MOSFET P-CH 20V 3.2A 6DSBGA | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | ||
| CSD25301W1015 | Texas Instruments | 6-UFBGA，DSBGA | MOSFET PCH 20V 2.2A 1X1.5 6DSBGA | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
