| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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IPD800N06NG |
Infineon Technologies | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | 询价QQ： |
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| 简述：MOSFET N-CH 60V 16A TO-252 参考包装数量：2500 参考包装形式：带卷 (TR) |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| IPD80N04S3-06 | Infineon Technologies | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | 5000 | MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
| IPD80N06S3-09 | Infineon Technologies | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | MOSFET N-CH 55V 80A TO252-3 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| IPD80P03P4L-07 | Infineon Technologies | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | MOSFET P-CH 30V 80A TO252-3 | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| IPD78CN10NG | Infineon Technologies | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | MOSFET N-CH 100V 13A TO252-3 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| IPD75N04S4-06 | Infineon Technologies | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | MOSFET N-CH 40V 75A TO252-3-313 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| IPD70N10S3L-12 | Infineon Technologies | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | 10000 | MOSFET N-CH 100V 70A TO252-3 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
