型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 参数 | PDF资料 |
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MTB30P06VT4 | ON Semiconductor | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB | MOSFET P-CH 60V 30A D2PAK | FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... | ||
MTB30P06VT4G | ON Semiconductor | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB | MOSFET P-CH 60V 30A D2PAK | FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... | ||
MTB50P03HDLG | ON Semiconductor | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB | MOSFET P-CH 30V 50A D2PAK | FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... | ||
MTB50P03HDLT4 | ON Semiconductor | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB | MOSFET P-CH 30V 50A D2PAK | FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... | ||
MTB50P03HDLT4G | ON Semiconductor | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB | 800 | MOSFET P-CH 30V 50A D2PAK | FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... | |
MTB75N05HDT4 | ON Semiconductor | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB | MOSFET N-CH 50V 75A D2PAK-3 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... | ||
MTD10N10ELT4 | ON Semiconductor | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 | MOSFET N-CH 100V 10A DPAK | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... | ||
MTD20P03HDLT4 | ON Semiconductor | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 | MOSFET P-CH 30V 19A DPAK | FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... | ||
MTD20P06HDLT4 | ON Semiconductor | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 | MOSFET P-CH 60V 15A DPAK | FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... | ||
MTD2955VT4 | ON Semiconductor | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 | MOSFET P-CH 60V 12A DPAK | FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... | ||
MTD3055V | Fairchild Semiconductor | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 | 2500 | MOSFET N-CH 60V 12A DPAK | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... | |
MTD3055VL | Fairchild Semiconductor | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 | 40000 | MOSFET N-CH 60V 12A DPAK | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... | |
MTD5P06VT4 | ON Semiconductor | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 | MOSFET P-CH 60V 5A DPAK | FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... | ||
MTD5P06VT4G | ON Semiconductor | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 | 12500 | MOSFET P-CH 60V 5A DPAK | FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... | |
MTD5P06VT4GV | ON Semiconductor | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 | IC PFET 60V5A 450MO DPAK | FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... | ||
MTD6N15T4 | ON Semiconductor | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 | MOSFET N-CH 150V 6A DPAK | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... | ||
MTD6N15T4G | ON Semiconductor | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 | MOSFET N-CH 150V 6A DPAK | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... | ||
MTD6N15T4GV | ON Semiconductor | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 | IC NFET 150V 6A 300MO DPAK | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... | ||
MTD6N20ET4 | ON Semiconductor | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 | MOSFET N-CH 200V 6A DPAK | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... | ||
MTD6N20ET4G | ON Semiconductor | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 | 42500 | MOSFET N-CH 200V 6A DPAK | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... |