| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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IPD60R600CP |
Infineon Technologies | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | 5000 | 闂傚倸鍊搁崐鎼佸磹閻戣姤鍊块柨鏇楀亾妞ゎ亜鍟村畷褰掝敋閸涱垰鏁搁梻渚€鈧偛鑻晶鎵磼鏉堛劌娴鐐存崌楠炴帒鈹戦崼婵囧€梻鍌欐祰椤曟牠宕归鐐村€块柨鏂垮⒔閻鏌熼悜妯荤厸闁稿鎹囬弫鎰償閳ヨ尙鍑规繝鐢靛仜閹冲繘鎮ч悩宸綎闁惧繗顫夊畷澶愭煏婵炲灝鍔滈柣婵勫灲濮婃椽鎮烽弶鎸庮唨闂佺懓鍤栭幏锟�0755-83217923 询价QQ： |
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| 简述：MOSFET N-CH 600V 6.1A TO-252 参考包装数量：2500 参考包装形式：带卷 (TR) |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| IPD60R600E6 | Infineon Technologies | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | 2500 | MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
| IPD60R750E6 | Infineon Technologies | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | 7500 | MOSFET N-CH 600V 5.7A TO252 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
| IPD60R950C6 | Infineon Technologies | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | 37500 | MOSFET N-CH 600V 4.4A TO252 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
| IPD60R600C6 | Infineon Technologies | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | 12500 | MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
| IPD60R520CP | Infineon Technologies | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | 5000 | MOSFET N-CH 650V 6.8A TO-252 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
| IPD60R520C6 | Infineon Technologies | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | 2500 | MOSFET N-CH 600V 8.1A TO252 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
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