| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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IPD60R600CP |
Infineon Technologies | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | 5000 | 询价QQ： |
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| 简述：MOSFET N-CH 600V 6.1A TO-252 参考包装数量：2500 参考包装形式：带卷 (TR) |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| IPD60R600E6 | Infineon Technologies | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | 2500 | MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
| IPD60R750E6 | Infineon Technologies | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | 7500 | MOSFET N-CH 600V 5.7A TO252 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
| IPD60R950C6 | Infineon Technologies | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | 37500 | MOSFET N-CH 600V 4.4A TO252 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
| IPD60R600C6 | Infineon Technologies | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | 12500 | MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
| IPD60R520CP | Infineon Technologies | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | 5000 | MOSFET N-CH 650V 6.8A TO-252 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
| IPD60R520C6 | Infineon Technologies | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | 2500 | MOSFET N-CH 600V 8.1A TO252 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
