| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 参数 | PDF资料 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| DMG1012T-7 | Diodes Inc | SOT-523 | 79122 | MOSFET N-CH 20V 630MA SOT-523 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| DMG1012UW-7 | Diodes Inc | SC-70，SOT-323 | 33000 | MOSFET N-CH 20V 1A SOT323 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| DMG1013T-7 | Diodes Inc | SOT-523 | 81000 | MOSFET P-CH 20V 460MA SOT523 | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| DMG1013UW-7 | Diodes Inc | SC-70，SOT-323 | 21000 | MOSFET P-CH 20V 820MA SOT323 | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| DMG2301U-7 | Diodes Inc | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | MOSFET P-CH 20V 2.5A SOT23 | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | ||
| DMG2302U-7 | Diodes Inc | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 9000 | MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| DMG2307L-7 | Diodes Inc | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 9000 | MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT-23 | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| DMG3401LSN-7 | Diodes Inc | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | MOSFET P CH 30V 3A SC59 | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | ||
| DMG3414U-7 | Diodes Inc | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 21000 | MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| DMG3415U-7 | Diodes Inc | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 123000 | MOSFET P-CH 20V 4A SOT-23 | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| DMG3415UFY4-7 | Diodes Inc | 3-XFDFN | 6000 | MOSFET P-CH 16V 2.5A DFN-3 | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| DMG3420U-7 | Diodes Inc | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 27000 | MOSFET N-CH 20V 5.47A SOT23 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| DMG4406LSS-13 | Diodes Inc | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 10000 | MOSFET N CH 30V 10.3A SO-8 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| DMG4413LSS-13 | Diodes Inc | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 3129 | MOSFET P-CH 30V 10.5A SOP8L | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| DMG4435SSS-13 | Diodes Inc | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 2500 | MOSFET P-CH 30V 7.3A 8SOIC | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| DMG4466SSS-13 | Diodes Inc | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET N-CH 30V 10A SO8 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | ||
| DMG4466SSSL-13 | Diodes Inc | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 2500 | MOSFET N-CH 30V 10A SO8 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| DMG4468LFG | Diodes Inc | 8-UDFN 裸露焊盘 | 3000 | MOSFET N-CH 30V 7.62A 8DFN | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| DMG4468LK3-13 | Diodes Inc | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | 5000 | MOSFET N-CH 30V 9.7A TO252 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| DMG4496SSS-13 | Diodes Inc | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 12500 | MOSFET N-CH 30V 10A SO8 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
