型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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IPD70N10S3L-12 |
Infineon Technologies | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 | 10000 | 询价QQ: |
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简述:MOSFET N-CH 100V 70A TO252-3 参考包装数量:2500 参考包装形式:带卷 (TR) |
型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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IPD75N04S4-06 | Infineon Technologies | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 | MOSFET N-CH 40V 75A TO252-3-313 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... | |
IPD78CN10NG | Infineon Technologies | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 | MOSFET N-CH 100V 13A TO252-3 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... | |
IPD800N06NG | Infineon Technologies | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 | MOSFET N-CH 60V 16A TO-252 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... | |
IPD70N10S3-12 | Infineon Technologies | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 | 20000 | MOSFET N-CH 100V 70A TO252-3 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... |
IPD70N04S3-07 | Infineon Technologies | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 | 37500 | MOSFET N-CH 40V 82A TO252-3 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... |
IPD70N03S4L-04 | Infineon Technologies | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 | 12500 | MOSFET N-CH 30V 70A TO252-3 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... |