型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 参数 | PDF资料 |
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2N7000 | Fairchild Semiconductor | TO-226-3、TO-92-3 标准主体 | 69975 | MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... | |
2N7000_D26Z | Fairchild Semiconductor | TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线 | 34000 | MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... | |
2N7002BKM,315 | NXP Semiconductors | SC-101,SOT-883 | MOSFET N-CH 60V 450MA SOT883 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... | ||
2N7002BKT,115 | NXP Semiconductors | SC-75,SOT-416 | 7299 | MOSFET N-CH 60V 290MA SOT416 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... | |
2N7002BKW,115 | NXP Semiconductors | SC-70,SOT-323 | 9000 | MOSFET N-CH 60V 310MA SOT323 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... | |
2SJ053600L | Panasonic Electronic Components - Semiconductor Products | SC-70,SOT-323 | MOSFET P-CH 30V .1A S-MINI-3P | FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... | ||
2SJ0536G0L | Panasonic Electronic Components - Semiconductor Products | SC-85 | MOSFET P-CH 30V .1A SMINI-3 | FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... | ||
2SJ058200L | Panasonic Electronic Components - Semiconductor Products | U-G2 | MOSFET P-CH 200V 2A U-G2 | FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... | ||
2SJ067400L | Panasonic Electronic Components - Semiconductor Products | SOT-723 | MOSFET P-CH 30V 100MA SSSMINI-3 | FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... | ||
2SJ0674G0L | Panasonic Electronic Components - Semiconductor Products | SOT-723 | 7680 | MOSFET P-CH 30V .1A SSSMINI-3 | FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... | |
2SJ162 | Renesas Electronics America | TO-3P-3,SC-65-3 | MOSFET P-CH 160V 7A TO-3P | FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... | ||
2SJ162-E | Renesas Electronics America | TO-3P-3,SC-65-3 | MOSFET P-CH 160V 7A TO-3P | FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... | ||
2SJ200-Y(F) | Toshiba | TO-3P-3,SC-65-3 | MOSFET P-CH 180V 10A TO-3PN | FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... | ||
2SJ201-Y(F) | Toshiba | TO-3PL | MOSFET P-CH 200V 12A TO-3PL | FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... | ||
2SJ304(F) | Toshiba | TO-220-3 整包 | MOSFET P-CH 60V 14A TO220NIS | FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... | ||
2SJ312(Q) | Toshiba | TO-220-3(SMT)标片 | MOSFET P-CH 60V 14A TO-220FL | FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... | ||
2SJ338(TE16R1,NQ) | Toshiba | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 | MOSFET P-CH 180V 1A PW-MOLD | FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... | ||
2SJ349(F,T) | Toshiba | TO-220-3 整包 | MOSFET P-CH 60V 20A TO220NIS | FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... | ||
2SJ352-E | Renesas Electronics America | TO-3P-3,SC-65-3 | MOSFET P-CH 200V 8A TO-3P | FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... | ||
2SJ360(F) | Toshiba | TO-243AA | MOSFET P-CH 60V 1A SC-62 | FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... |