| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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IPD64CN10NG |
Infineon Technologies | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | 询价QQ： |
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| 简述：MOSFET N-CH 100V 17A TO252-3 参考包装数量：2500 参考包装形式：带卷 (TR) |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| IPD65R380C6 | Infineon Technologies | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | 4088 | MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252-3 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
| IPD65R380E6 | Infineon Technologies | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | 2500 | MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
| IPD65R420CFD | Infineon Technologies | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | 2500 | MOSFET N-CH 650V 8.7A TO252 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
| IPD640N06LG | Infineon Technologies | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | MOSFET N-CH 60V 18A TO-252 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| IPD60R950C6 | Infineon Technologies | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | 37500 | MOSFET N-CH 600V 4.4A TO252 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
| IPD60R750E6 | Infineon Technologies | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | 7500 | MOSFET N-CH 600V 5.7A TO252 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
