| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 参数 | PDF资料 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| DMG4466SSSL-13 | Diodes Inc | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 2500 | MOSFET N-CH 30V 10A SO8 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| DMG4468LFG | Diodes Inc | 8-UDFN 裸露焊盘 | 3000 | MOSFET N-CH 30V 7.62A 8DFN | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| DMG4468LK3-13 | Diodes Inc | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | 5000 | MOSFET N-CH 30V 9.7A TO252 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| DMG4496SSS-13 | Diodes Inc | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 12500 | MOSFET N-CH 30V 10A SO8 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| DMG4710SSS-13 | Diodes Inc | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 2500 | MOSFET N-CH 30V 12.7A SO8 | FET 类型：MOSFET N 通道，肖特基，金属氧化物! FET 功能：逻辑电... | |
| DMG4712SSS-13 | Diodes Inc | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 2500 | MOSFET N-CH 30V 11.2A 8SOIC | FET 类型：MOSFET N 通道，肖特基，金属氧化物! FET 功能：逻辑电... | |
| DMG4800LFG-7 | Diodes Inc | 8-UDFN 裸露焊盘 | 3000 | MOSFET N-CH 30V 7.44A 8DFN | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| DMG4800LK3-13 | Diodes Inc | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | 2767 | MOSFET N-CH 30V 10A TO252 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| DMG6402LDM-7 | Diodes Inc | SOT-23-6 | MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT26 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | ||
| DMG6968U-7 | Diodes Inc | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 22590 | MOSFET N-CH 20V 6.5A SOT-23 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| DMG7401SFG-7 | Diodes Inc | 8-PowerWDFN | 4000 | MOSFET P CH 30V 9.8A POWERDI3333 | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| DMG7408SFG-7 | Diodes Inc | 8-PowerWDFN | MOSF N CH 30V 7A 3333-8 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | ||
| DMG7430LFG-7 | Diodes Inc | 8-PowerWDFN | MOSFET N CH 30V POWERDIA 3333-8 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | ||
| DMG7702SFG-7 | Diodes Inc | 8-PowerWDFN | 4000 | MOSFET N-CH 30V 12A PWRDI3333-8 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| DMG8880LK3-13 | Diodes Inc | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | 2500 | MOSFET N-CH 30V 11A TO252-3L | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| DMG8880LSS-13 | Diodes Inc | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 1549 | MOSFET N-CH 30V 11.6A 8SOIC | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| DMG9N65CT | Diodes Inc | * | MOSFET N-CH 650V 9A TO220AB | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | ||
| DMN100-7 | Diodes Inc | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | MOSFET N-CH 30V 1.1A SC59-3 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | ||
| DMN100-7-F | Diodes Inc | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 6000 | MOSFET N-CH 30V 1.1A SC59-3 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| DMN1019UFDE-7 | Diodes Inc | 6-UDFN | MOSFET N CH 12V 11A U-DFN2020-6E | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
