型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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DMG7401SFG-7 |
Diodes Inc | 8-PowerWDFN | 4000 | 询价QQ: |
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简述:MOSFET P CH 30V 9.8A POWERDI3333 参考包装数量:1 参考包装形式:剪切带 (CT) |
型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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DMG7408SFG-7 | Diodes Inc | 8-PowerWDFN | MOSF N CH 30V 7A 3333-8 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... | |
DMG7430LFG-7 | Diodes Inc | 8-PowerWDFN | MOSFET N CH 30V POWERDIA 3333-8 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... | |
DMG7702SFG-7 | Diodes Inc | 8-PowerWDFN | 4000 | MOSFET N-CH 30V 12A PWRDI3333-8 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... |
DMG6968UDM-7 | Diodes Inc | SOT-23-6 | 6000 | MOSFET N-CH 6.5A 20V SOT-26 | FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V... |
DMG6968U-7 | Diodes Inc | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 22590 | MOSFET N-CH 20V 6.5A SOT-23 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... |
DMG6898LSD-13 | Diodes Inc | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | 14725 | MOSFET 2N-CH 20V 9.5A SO8 | FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V... |