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DMG9N65CT

Diodes Inc *
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简述:MOSFET N-CH 650V 9A TO220AB
参考包装数量:50
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DMG9N65CT参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):650V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):9A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):1.3 欧姆 @ 4.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):39nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):2310pF @ 25V
功率 - 最大值:2.29W
安装类型:*

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