| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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DMN10H170SK3-13 |
Diodes Inc | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | 询价QQ： |
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| 简述：MOSFET N CH 100V 12A TO252 参考包装数量：2500 参考包装形式：带卷 (TR) |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| DMN2004DMK-7 | Diodes Inc | SOT-23-6 | MOSFET DUAL N-CHAN 20V SOT-26 | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| DMN2004DWK-7 | Diodes Inc | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | 27187 | MOSFET DUAL N-CHAN 20V SOT-363 | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... |
| DMN2004K-7 | Diodes Inc | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 13098 | MOSFET N-CH 20V 540MA SOT23-3 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
| DMN1019UFDE-7 | Diodes Inc | 6-UDFN | MOSFET N CH 12V 11A U-DFN2020-6E | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| DMN100-7-F | Diodes Inc | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 6000 | MOSFET N-CH 30V 1.1A SC59-3 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
| DMN100-7 | Diodes Inc | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | MOSFET N-CH 30V 1.1A SC59-3 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
