| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
|---|---|---|---|---|---|
DMG4712SSS-13 |
Diodes Inc | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 2500 | 询价QQ： |
|
| 简述：MOSFET N-CH 30V 11.2A 8SOIC 参考包装数量：2500 参考包装形式：带卷 (TR) |
|||||
| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
|---|---|---|---|---|---|
| DMG4800LFG-7 | Diodes Inc | 8-UDFN 裸露焊盘 | 3000 | MOSFET N-CH 30V 7.44A 8DFN | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
| DMG4800LK3-13 | Diodes Inc | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | 2767 | MOSFET N-CH 30V 10A TO252 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
| DMG4800LSD-13 | Diodes Inc | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 2500 | MOSFET 2N-CH 30V 8.54A SO8 | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... |
| DMG4710SSS-13 | Diodes Inc | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 2500 | MOSFET N-CH 30V 12.7A SO8 | FET 类型：MOSFET N 通道，肖特基，金属氧化物! FET 功能：逻辑电... |
| DMG4511SK4-13 | Diodes Inc | TO-252-5，DPak（4 引线 + 接片），TO-252AD | 7500 | MOSFET N/P-CH 35V TO252-4L | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... |
| DMG4496SSS-13 | Diodes Inc | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 12500 | MOSFET N-CH 30V 10A SO8 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
