收藏本站

首页 > 分离式半导体产品 > IGBT - 单路 > SGB06N60
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

SGB06N60

Infineon Technologies TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
询价QQ:
简述:IGBT NPT 600V 12A 68W TO263-3
参考包装数量:1000
参考包装形式:带卷 (TR)

与SGB06N60相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
SGB07N120 Infineon Technologies TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB IGBT 1200V 8A 125W TO263-3-2 IGBT 类型:NPT 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1200V Vge,...
SGB10N60A Infineon Technologies TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB IGBT NPT 600V 20A 92W TO263-3 IGBT 类型:NPT 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vge, ...
SGB15N120 Infineon Technologies TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB IGBT NPT 1200V 30A 198W TO263-3 IGBT 类型:NPT 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1200V Vge,...
SGB02N60 Infineon Technologies TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB IGBT NPT 600V 6A 30W TO263-3 IGBT 类型:NPT 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vge, ...
SGB02N120 Infineon Technologies TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB IGBT NPT 1200V 6.2A 62W TO263-3 IGBT 类型:NPT 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1200V Vge,...
SGB Laird Technologies IAS ACCY MOB SPRING GUARD B&C BLACK ...

SGB06N60参数资料

PDF资料下载:

IGBT 类型:NPT
电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V
Vge, Ic时的最大Vce(开):2.4V @ 15V,6A
电流 - 集电极 (Ic)(最大):12A
功率 - 最大:68W
输入类型:标准
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别